【技术实现步骤摘要】
半导体结构、封装结构、及封装方法
[0001]本公开实施例涉及一种半导体制造技术，特别是涉及一种半导体结构、封装结构、及封装方法。
技术介绍
[0002]半导体装置是用于各种电子应用中，例如，举例来说，个人电脑、手机、数码相机、和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体装置：在半导体基板之上依序沉积材料的绝缘层或介电层、导电层、和半导体层，并使用微影制程(lithography process)和蚀刻制程图案化各种材料层，以在其上形成电路组件和电路元件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征尺寸，来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度(integration density)，这使得更多的组件可以一体化到给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，在所使用的每个过程中都会出现其他问题，并且这些其他问题应得到解决。
技术实现思路
[0004]根据本公开一些实施例，提供一种半导体结构，包括：一第一半导体装置、一第二半导体装置、一第一组导电连接器、一第一底部填充剂、一第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一第一半导体装置，包括：多个第一电容，形成在一第一基板上；以及一第一导电贯孔，延伸穿过该第一基板，该第一导电贯孔电性耦接到所述第一电容；一第二半导体装置，包括：多个第二电容，形成在一第二基板上；以及一第二导电贯孔，延伸穿过该第二基板，该第二导电贯孔电性耦接到所述第二电容；一第一组导电连接器，机械地和电性地接合该第一半导体装置和该第二半导体装置，该第一组导电连接器中的至少一个电性地耦接该第一导电贯孔和该第二导电贯孔；一第一底部填充剂，位于该第一半导体装置和该第二半导体装置之间，并且围绕该第一组导电连接器；一第一密封剂，位于该第一半导体装置和该第二半导体装置的至少侧壁和该第一底部填充剂上；以及一第二组导电连接器，电性耦接到该第一半导体装置，该第二组导电连接器与该第一组导电连接器位于该第一半导体装置的相对侧上。2.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：一第一重分布结构，位于该第一密封剂和该第一半导体装置上，该第一重分布结构包括在其中具有金属化图案的多个介电层，该第一重分布结构的所述金属化图案电性耦接到该第一导电贯孔和该第二组导电连接器。3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：一第三半导体装置，包括：多个第三电容，形成在一第三基板上；以及一第三导电贯孔，延伸穿过该第三基板，该第三导电贯孔电性耦接到所述第三电容和该第二导电贯孔；以及一第四半导体装置，包括：多个第四电容，形成在一第四基板上；以及一第四导电贯孔，延伸穿过该第四基板，该第四导电贯孔电性耦接到所述第四电容和该第三导电贯孔；其中，该第三半导体装置和该第四半导体装置与该第一半导体装置位于该第二半导体装置的相对侧上。4.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：一第一集成电路结构，包括一第一集成电路裸晶，该第一集成电路裸晶包括主动装置；一第二密封剂，至少横向地封装该第一集成电路结构、该第一密封剂、和该第二组导电连接器；以及一第一重分布结构，位于该第二密封剂、该第一集成电路结构、和该第一半导体装置上，该第一重分布结构包括在其中具有金属化图案的多个介电层，该第一重分布结构的所述金属化图案电性耦接到该第一集成电路裸晶和该第二组导电连接器。5.一种封装结构，包括：一第一被动封装体，包括：
一被动裸晶堆叠，该被动裸晶堆叠中的每个该被动裸晶包括在一基板上的多个被动元件和延伸穿过该基板的一导电贯孔；一第一集成电路封装，包括至少一集成电路裸晶，该至少一集成电路裸晶包括多个主动元件；一第一密封剂，至少横向地封装该第一被动封装体和该第一集成电路封装；以及一第一重分布结构，位于该第一密封剂、该第一集成电路封装、和该第一被动封装体上，该第一重分布结构包括在其中具有金属化图案的多个介电层，该第一重分布结构的所述金属化图案电性耦接到该第一集成电路封装和该第一被动封装体。6.如权利要求5所述的封装结构，其中，每个该被动裸晶的所述被...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑心圃，庄博尧，陈硕懋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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