图像传感器和用于形成图像传感器的方法技术

本发明专利技术的各种实施例涉及用于形成图像传感器的方法，其中，器件层覆盖在衬底上并且具有不同于衬底的半导体材料，并且其中，器件层具有高晶体质量。该方法的一些实施例包括：在衬底上外延生长器件层；图案化器件层以形成将器件层分为与像素相对应的台面结构的沟槽；形成填充沟槽并且分离台面结构的像素间介电层；以及在台面结构中形成光检测器。该方法的其他实施例包括：在衬底上方沉积像素间介电层；图案化像素间介电层以形成与像素相对应的腔；在腔中外延生长台面结构；以及在台面结构中形成光检测器。根据本申请的其他实施例，还提供了图像传感器。图像传感器。图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器和用于形成图像传感器的方法


[0001]本申请的实施例涉及图像传感器和用于形成图像传感器的方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件，诸如，例如，摄像机和手机，都使用带有图像传感器的集成电路(IC)。近年来，互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器已开始被广泛应用，同时大量取代电荷耦合器件(CCD)图像传感器。与CCD图像传感器相比，由于低功耗、尺寸小、快速数据处理、数据直接输出和低制造成本，CMOS图像传感器越来越受到青睐。一些类型的CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例，提供了一种图像传感器，包括：衬底；器件层，覆盖在衬底上并且限定第一台面结构；覆盖层，覆盖在器件层上，其中，衬底、覆盖层和器件层为半导体，并且其中，器件层具有不同于衬底和覆盖层的吸收系数；第一光检测器，位于第一台面结构处的器件层中；以及介电层，延伸穿过器件层至衬底，其中，介电层沿着第一台面结构的边界以第一闭合路径延伸以围绕第一台面结构。r/>[0004]根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：衬底；器件层，覆盖在所述衬底上并且限定第一台面结构；覆盖层，覆盖在所述器件层上，其中，所述衬底、所述覆盖层和所述器件层为半导体，并且其中，所述器件层具有不同于所述衬底和所述覆盖层的吸收系数；第一光检测器，位于所述第一台面结构处的所述器件层中；以及介电层，延伸穿过所述器件层至所述衬底，其中，所述介电层沿着所述第一台面结构的边界以第一闭合路径延伸以围绕所述第一台面结构。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述介电层的高度约等于所述器件层的高度。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一台面结构的侧壁从上至下地直接接触所述介电层。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述器件层限定多个台面结构，所述多个台面结构包括所述第一台面结构并且布置为蜂巢模式，并且其中，所述介电层单独地围绕和分离所述台面结构。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述台面结构的密度约为每平方微米40
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26000。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述器件层限定与所述第一台面结构接界的第二台面结构，其中，所述介电层沿着所述第二台面结构的边界以第二闭合路径延伸以围绕所述第二台面结构，其中，所述第一闭合路径和所述第二闭合路径部分地但不完全地重叠，并且其中所述图像传感器还包括：在第二台面结构中的第二光检测器。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兆圻，曾仲铨，赖佳平，曾思蒨，房业勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：