半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器，其中，滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值；以及在滤色器上形成微透镜。本发明专利技术的实施例还提供了一种半导体器件。本发明专利技术的实施例还提供了一种半导体器件。本发明专利技术的实施例还提供了一种半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及 其形成方法。

技术介绍

[0002]操作半导体图像传感器以感测光。通常，半导体图像传感器包括互补 金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合器件(CCD) 传感器，其被广泛用于多种应用中，诸如数码静态相机(DSC)、移动电 话相机、数字视频(DV)和数字录像机(DVR)应用。这些半导体图像传 感器使用图像传感器元件阵列，其中，每个图像传感器元件都包括光电二 极管和其他元件，以吸收光并且将感测的光转换成数字数据或电信号。
[0003]前照式(FSI)CMOS图像传感器和背照式(BSI)CMOS图像传感器 是两种主要的CMOS图像传感器。操作FSI CMOS图像传感器以检测从其 正面投射的光，而操作BSI CMOS图像传感器以检测从其背面投射的光当 光投射进FSI CMOS图像传感器或BSI CMOS图像传感器时，生成了光电 子，然后由光敏器件感测图像传感器的像素中的光电子。生成的光电子越 多，图像传感器具有的量子效率(QE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从所述半导体衬底的背侧减薄所述半导体衬底；在所述半导体衬底的所述背侧上形成介电层；在所述半导体衬底的所述背侧上形成聚合物栅格，其中，所述聚合物栅格具有第一折射率值；在所述聚合物栅格中形成滤色器，其中，所述滤色器具有高于所述第一折射率值的第二折射率值；以及在所述滤色器上形成微透镜。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述聚合物栅格包括：分配聚合物层；以及对所述聚合物层进行图案化以形成所述聚合物栅格。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述聚合物栅格前，在所述半导体衬底的所述背侧上形成金属栅格，其中，所述聚合物栅格竖直对准于所述金属栅格。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成从所述半导体衬底的所述背侧延伸进入所述半导体衬底的背侧高吸附区，其中，所述聚合物栅格的栅格开口对准于所述背侧高吸附区。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成从所述半导体衬底的所述背侧延伸进入所述半导体衬底的深槽隔离栅格，其中，所述深槽隔离栅格对准于所述聚合物栅格。6.一种半导体器件，包括：背照式(BSI)图像传感器芯片，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昆辉，郑允玮，周俊豪，李国政，王钲源，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：