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本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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