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本发明的各种实施例涉及用于形成图像传感器的方法，其中，器件层覆盖在衬底上并且具有不同于衬底的半导体材料，并且其中，器件层具有高晶体质量。该方法的一些实施例包括：在衬底上外延生长器件层；图案化器件层以形成将器件层分为与像素相对应的台面结构的沟...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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