基于非晶FeCuNbCrSiB薄膜的螺线管微电感器件制造技术

一种微电子技术领域的非晶ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢ薄膜螺线管微电感器件，包括：衬底、引脚、线圈、磁芯、聚酰亚胺绝缘材料，闭合的矩形磁芯上对称绕制两组相连的三维立体螺线管线圈，线圈以衬底为基础，由底层线圈、顶层线圈通过连接导体连接形成，线圈的两端连接引脚，线圈的底层线圈、顶层线圈、连接导体均通过聚酰亚胺绝缘材料与磁芯隔开，所述的磁芯材料为非晶ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢ薄膜。本发明专利技术解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种微电子
的器件，具体是一种非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件。
技术介绍
近年来，随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展，特别是以三维非硅材料为主的准-LIGA加工技术成为当前国际上研制微型化多层结构微器件及射频—微机电系统(RF-MEMS)器件的一种最先进的技术。在国际上，采用MEMS技术研制三维结构磁性薄膜微电感器件应运而生。另一方面，由于非晶、纳米晶软磁材料的新进展，国内外采用非晶和纳米晶软磁材料做磁芯制造大型功率变压器、脉冲变压器、磁开关等正在走向商业化。鉴于磁性薄膜微电感器件是磁芯结构，磁芯材料的选择对提高电感器件的性能是极其关键的(1)高磁导率来获得大电感量；(2)高饱和磁感应强度以保证高饱和电流；(3)高电阻率以降低涡流损耗。另外，磁性薄膜微电感器件要求具有封闭的磁路结构，以减少漏磁通。因此，选用高磁导率、高饱和磁感应强度和高电阻率的非晶和纳米晶软磁材料做磁芯，是提高磁性薄膜微电感器件特性的关键。经对现有技术的文献检索发现，Kim等(C.S.Kim，S.Bae，S.E.Nam，H.J.Kim)在《IEEE TRANSACTI本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢ薄膜螺线管微电感器件，包括：衬底（１）、引脚（２）、线圈（３）、磁芯（４）、聚酰亚胺绝缘材料（６），其特征在于：所述的磁芯（４）材料为非晶ＦｅＣｕＮｂＣｒＳｉＢ薄膜，磁芯（４）为闭合的矩形，磁芯（４）上对称绕制两组相连的三维立体螺线管线圈（３），线圈（３）以衬底（１）为基础，由底层线圈（５）、顶层线圈（８）通过连接导体（７）连接形成，线圈（３）的两端连接引脚（２），线圈（３）的底层线圈（５）、顶层线圈（８）、连接导体（７）均通过聚酰亚胺绝缘材料（６）与磁芯（４）隔开。

【技术特征摘要】
1.一种非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件，包括衬底(1)、引脚(2)、线圈(3)、磁芯(4)、聚酰亚胺绝缘材料(6)，其特征在于所述的磁芯(4)材料为非晶FeCuNbCrSiB薄膜，磁芯(4)为闭合的矩形，磁芯(4)上对称绕制两组相连的三维立体螺线管线圈(3)，线圈(3)以衬底(1)为基础，由底层线圈(5)、顶层线圈(8)通过连接导体(7)连接形成，线圈(3)的两端连接引脚(2)，线圈(3)的底层线圈(5)、顶层线圈(8)、连接导体(7)均通过聚酰亚胺绝缘材料(6)与磁芯(4)隔开。2.如权利要求1所述的非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件，其特征是，线圈(3)的形状为螺线管，每一匝导体的宽度为20μm，厚度为5～20μm。3.如权利要求2所述的非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线...

【专利技术属性】
技术研发人员：周勇，丁文，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]