磁记录介质和磁记录设备制造技术

一种磁记录介质和磁记录设备，本发明专利技术的磁记录介质包括：无磁基底材料、软磁下层、中间层、记录层和保护层，这些层堆叠在基底材料上。软磁下层由下软磁层、磁畴控制层（或无磁层）和上软磁层形成。下软磁层和上软磁层均由非晶材料制成，该非晶材料是通过向铁钴（Ｆｅ－Ｃｏ）合金中加入锆（Ｚｒ）和钽（Ｔａ）中至少一种元素而非晶化，该铁钴合金构成为形成体心立方（ｂｃｃ）结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用磁性记录信息的磁记录介质和使用该磁记录介质 的磁记录设备，并且尤其涉及一种垂直磁记录型磁记录介质以及使用该磁记 录介质的磁记录设备。
技术介绍
计算机处理逐年日益增大的信息量，其要求记录信息的记录装置实现更 高的密度。迄今为止，在磁盘上(即，记录介质)利用磁性记录信息的磁记 录设备(例如，所谓硬盘驱动单元)被用作计算机的记录装置。近来，这种 类型的磁记录设备(例如，硬盘驱动单元)不仅用于计算机，而且开始用于 视频记录设备，例如硬盘视频录像机、便携式音乐播放器等等。迄今，通常采用面内磁记录型记录介质(在下文中简单称为面内磁记 录介质)作为用在磁记录设备中的记录介质。在面内磁记录介质的记录层 中，磁化方向是沿着面内方向。为了使面内磁记录介质实现更高的记录密度， 需要使得记录层更薄，并且还要使得记录层中的磁粒子更细，从而减少磁粒 子间的相互作用。然而，记录层中磁粒子变细会导致热量损坏信息的现象。 这种现象称为热扰动，其是阻碍磁记录介质的记录密度增大的因素。出 现热扰动的可能性与磁粒子体积有关。具体而言，当磁粒子体积变得更小时， 更有可能出现热扰动。近来已经实际应用垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，包括：无磁基底材料；软磁下层，形成在该无磁基底材料上；中间层，形成在该软磁下层上；以及记录层，形成在该中间层上并且具有垂直磁各向异性，其中，该软磁下层由非晶材料制成，该非晶材料是通过向铁钴合金中加入锆和钽中至少一种元素而非晶化，该铁钴合金构成为形成体心立方结构。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-29 2006-268882;JP 2006-10-26 2006-2914271、一种磁记录介质，包括无磁基底材料；软磁下层，形成在该无磁基底材料上；中间层，形成在该软磁下层上；以及记录层，形成在该中间层上并且具有垂直磁各向异性，其中，该软磁下层由非晶材料制成，该非晶材料是通过向铁钴合金中加入锆和钽中至少一种元素而非晶化，该铁钴合金构成为形成体心立方结构。2、 一种磁记录介质，包括 无磁基底材料；软磁下层，形成在该无磁基底材料上；中间层，形成在该软磁下层上；以及记录层，形成在该中间层上并且具有垂直磁各向异性，其中，该软磁下层由非晶材料制成，该非晶材料是通过向铁钴合金中加入下列元素中至少一种元素而非晶化铌；硅；硼；钛；钨；铬和碳，该铁钴合金构成为形成体心立方结构。3、 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中该中间层由具有面心 立方结构的多晶膜以及形成在该多晶膜上且具有六方密堆积结构的多晶膜 形成。4、 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中该记录层具有粒状结构。5、 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中该记录层具有粒状结 构，该粒状结构由钴铬铂合金制成的磁粒子和氧化钛制成的无磁层形成，该 钴铬铂合金中Cr含量介于11原子％与15原子％之间且包括11原子％和15 原子％，该钴铬铂合金中Pt含量介于11原子％与21原子％之间且包括11 原子％和21原子％，并且该钴铬铂合金与该氧化钛之间的摩尔比介于93:7 与91:9之间且包括93:7和91:9。6、 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中该记录层由第一记录 层和第二记录层形成，该第一记录层具有粒状结构，该第二记录层形成在该 第一记录层上并且由Co基合金制成。7、 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中该软磁下层由第一软 磁层、无磁层和第二软磁层形成，该第一软磁层由该非晶材料制成，该无磁 层形成在该第一软磁层上，该第二软磁层由该非晶材料制成且形成在该无磁 层上。8、 根据权利要求7所述的磁记录介质，其中该第一软磁层和该第二软 磁层的厚度均介于20 nm与30nm之间且包括20 nm和30nm。9、 根据权利要求7所述的磁记录介质，其中该第一软磁层与该第二软 磁层反铁磁耦合。10、 根据权利要求1或2中所述的磁记录介质，其中该非晶材料中Fe 含量等于或大于30原子％。11、 一种磁记录设备，包括 磁记录介质，能够利用磁性记录信息；磁头，对该磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻村良作，贝津功刚，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]