氧化物半导体热敏电阻器的制造方法技术

技术编号:3104072 阅读:117 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其主要是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型,具有体积小,稳定性好,可靠性高等特点,适用于温度测量、控制和线路补偿。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种本专利技术所述的氧化物半导体热敏电阻为玻璃密封两端引线型,具有体积小、稳定性好,可靠性高等特点,适用于冰箱、空调等温度测量,控制和线路补偿。日本已有同样结构、同样参数的产品问世,但我国的该类器件基本依靠进口,价格昂贵。一般来说,同种性能的半导体热敏材料,由于其制作工艺不同,主要成份及其比例也有较大差异。日本主要是采用硝酸盐混合热分解法制备粉体材料,其电学参数为B25/50=3590±1%,R25℃=2.0-6.0KΩ。国内制备氧化物热敏材料通常是采用氧化物混合研磨法。本专利技术经过多年的探索、研究,采用钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原材料,用液相共沉淀法制粉体,其比例与工艺有显著的差别。所得产品的参数指标均达到国外同类产品指标。本专利技术目的在于,研制的是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原材料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解,研磨、预烧结,再进行预成型、冷等静压、高温烧结制成,该所得产品其电学参数指标均达到日本同类产品水平,从而替代了同类产品依靠进口的局面。本专利技术所述的,其主要是该热敏电阻是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其特征在于,该热敏电阻是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进入清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧,再进行预成型,冷等静压高湿烧结制成;原材料各组份配比为(摩尔百分比%)钴50-60 锰35-42 镍4.8-8.0。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其特征在于,该热敏电阻是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进入清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧,再进行预成型,冷等静压高湿烧结制成;原材料各组份配比为(摩尔百分比%)钴50-60锰35-42镍4.8-8.02.一种型氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其特征在于,该制造方法为以分析纯(摩尔百分比%)钴50-60、锰35-42、镍4.0-8.0的硝酸盐或醋酸盐为原材料,采用液相共沉淀法制备材料粉体的沉淀液,沉淀液为浓度1%的钴、锰、镍盐溶液,在剧烈的搅拌下,将沉淀剂均匀加入沉淀液中,然后在沉淀液中加入乳化剂OP,沉淀完成后反复加入去离子水进行清洗并对溶液进行超声处理,烘干,...

【专利技术属性】
技术研发人员:康健杨文张昭王大为
申请(专利权)人:中国科学院新疆物理研究所
类型:发明
国别省市:65[中国|新疆]

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