本实用新型公开了一种锅炉专用温度巡检仪，是在线性处理电路中设置了一个可变电位器，将信号线性化处理，在报警电路中采用两个三报管、两个电阻和两个电容组成的门电路，以实现有选择性的报警。该巡检仪一台可替代已有的二台仪表和一台油浸开关，提高了锅...

一种交流电机定子圈式线圈的新换位联接，其主要特点是在不需更换原线圈的情况下，对圈式线圈各股线采用Ｔ式和Ｒ式联接。而各股线间需严格绝缘，从而达到线圈中并联股线间的电流分布均匀，消除基波和谐波环流损耗。本发明具有工艺简单、效果显著，易于推广...

本发明涉及一种具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器（Ｆ元件），该元件是用单面抛光的Ｎ型Ｓｉ片制作，ＳＩ片电阻率在４０到２００Ωｃｍ之间，其流程包括：氧化、光刻、硼预淀积、硼再分布和氧化、光刻、磷预淀积、磷再分布和氧化、刻引线孔、蒸铝...

一种与星上数据采集系统配套使用，检测粒子辐射对ＣＭＯＳ集成电路影响的星用ＣＭＯＳ辐射效应探测器，能完成对电离辐射敏感的ＣＣ４００７电路Ｎ沟管阈电压值检测。主要由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测ＣＭＯＳ４００７组成，采用星...

生物组织等效外推电离室，是一种用于肿瘤放射治疗的医用辐射剂量仪器，属于辐射剂量学领域。本设计装置主要由电离空腔、三维水模体、机械传动等几部分组成。它可以通过测量射线在不同大小电离空腔内所产生的电离电流，借助于两个外推（厚度、体积）进而方...

一种窗口可调式双壁电离室，属于电离辐射剂量仪器技术领域。它是根据Ｘ射线和空气相互作用原理光学光阑的机械控制原理设置完成的。其方案在于采用三重屏蔽结构，以减少外界杂散Ｘ光子及其二次电子进入电离室的测量体积。为防止Ｘ射线束散射光、电子从窗口...

本发明是精确测量电子束和β射线在物质表面及深部吸收剂量的次级标准仪器．该仪器采用更换等效电离空腔，在电离空腔内部测量电离空气的温度，利用载片转盘自动改变窗口材料厚度等技术，配合成微型计算机应用系统能迅速、准确、连续地测定出电子束或β射线...

本实用新型公开了一种显示启动按钮，它是由显示启动按钮的两个电极之间串接有限流电阻和发光二极管，采用这种结构的启动按钮，可延长使用寿命，并可实现节能的目的。

本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散，当金和本底净杂质浓度之比为１～１．５时，形成稳定性好，Ｂ值为来４０００Ｋ～６０００Ｋ，其均匀度优于０．１％的掺金硅热敏材料。利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻，经机械调值后...

本发明是一种１００℃～５００℃使用的高温热敏电阻器，属于半导体传感器领域．该热敏电阻器采用镁－－铝－－锰－－镍－－钴系列氧化物材料通过热处理特性试验，选择阻值复现性高的材料组分．采用耐高温玻璃管作管式封装，并通过高温变温老化制造而成．具...

本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器技术领域。它主要采用在Ｐ型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特征，其Ｂ值为３８５０Ｋ，Ｂ值的偏差分布小于±０．３％，使用温区为－５０℃～１００℃之间。...

本发明涉及一种半导体陶瓷材料，低压压敏电阻材料及工艺，该材料主要是以氧化锌为主体，再加入适当的添加物金属氧化物，用陶瓷工艺制备而成，根据添加物的种类，烧结工艺的不同，可制得压敏电压从几伏到几千伏的压敏电阻器，该工艺简单，生产成本低，制做...

本发明涉及半导体材料，尤其是微型压每电阻芯片材料及其制造方法，该芯片是以化学纯乙酸锌为主体，以三乙醇胺为溶剂，以柠檬酸为络合物，再加入有机盐，无机盐，稀土盐，用溶胶－凝胶法合成而成多元纳米压敏粉体材料，再用冷等静压技术和半导体晶片加工方...

本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型，具有体积小，稳定性好...

本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以钴、锰、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为环氧密封单端引线珠状，具有体积小，稳定性...

发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进入清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后成型。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型，具有体积小，稳定性好，...

本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型，具有体积小，稳定...

本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型，具有体积小，稳定性好...

本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以铝、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为环氧密封单端引线珠状，具有体积小，稳定性...

本发明涉及一种镍、铝、铁复合氧化系宽温区热敏电阻，是以镍、铝、铁、钙、镁、镧为原料组成，采用纳米粉体技术，玻封工艺制成。该热敏电阻低Ｂ高阻，稳定稳定性好。与日本同类产品相比，该热敏电阻具有很好的稳定性和元件尺寸可调的特点。