生产薄膜芯片电阻的方法技术

生产薄膜芯片电阻的方法，在该方法中，在平面状基质（１０）的上侧面敷设一个电阻层（１４）和一个接触层（１５，１６），并借助于激光来进行结构化，使得在基质（１０）上形成一个挨一个设置的多个独立的电阻线路（２４），它们具有近似的预定的电阻值，通过下列方法来进行简单和廉价的生产：电阻单元（１３）的电气隔离和各个电阻线路（２４）的结构化对于整个电阻线路同时借助于激光平版印刷直接曝光方法来实现。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生产无源电子元件的领域。它涉及如权利要求1的前序部分所述的。一种这样的方法例如由US-A-5976392已知。
技术介绍
众所周知的是生产厚膜电阻的方法，其中电阻层和接触层作为糊膏借助于丝网印刷进行结构化涂敷。通过这种方法可以生产非常廉价的元件。此外还已知生产薄膜电阻或薄膜芯片电阻的方法，其中电阻层和接触层借助于喷镀/蒸镀来敷设，并紧接着利用照相平版印刷工艺进行结构化处理。以这种方式生产出来的元件通常质量较高。但是其缺点是生产成本很高。开始时所提到的文件US-A-5976392描述了生产薄膜电阻的方法，在薄膜电阻上敷设了厚膜触点，这种薄膜电阻不是利用照相平版印刷结构化工艺生产的，而是借助于高能聚焦射线的刻蚀来构造电阻线路。特别地，为此采用了宽度为30至200μm的激光射线，以利用相应的射线方法在基质平面内，在可能具有0.4至3.5mm的宽度和0.8至6.5mm的长度的单个电阻的区域内以“写入”方式固定电阻线路结构。由于没有采用照相平版印刷和厚膜触点，这种方法尽管具有价格优势，但其缺点是连续处理单个电阻或电阻线路花费的时间很长。另一个文件(DE-A1-19901540本文档来自技高网...

【技术保护点】
生产薄膜芯片电阻（１００，１００’，１００”）的方法，在该方法中，在平面状的基质（１０）的上侧面敷设一个电阻层（１４）和一个接触层（１５，１６），并借助于激光这样来进行结构化处理：在基质（１０）上形成一个挨一个设置的多个独立的电阻线路（２４），它们具有近似的、预先确定的电阻值，其特征在于，电阻单元（１３）的电气隔离和各个电阻线路（２４）的结构化处理对于整个电阻线路来说同时借助于激光平版印刷直接曝光方法来实现。

【技术特征摘要】
DE 2001-3-2 10110179.11.生产薄膜芯片电阻(100，100’，100”)的方法，在该方法中，在平面状的基质(10)的上侧面敷设一个电阻层(14)和一个接触层(15，16)，并借助于激光这样来进行结构化处理在基质(10)上形成一个挨一个设置的多个独立的电阻线路(24)，它们具有近似的、预先确定的电阻值，其特征在于，电阻单元(13)的电气隔离和各个电阻线路(24)的结构化处理对于整个电阻线路来说同时借助于激光平版印刷直接曝光方法来实现。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，多个尤其是一个挨一个设置的电阻单元(13)同时通过一次或多次曝光进行电气隔离并被结构化处理，在激光平版印刷直接曝光时，除了构造电阻线路(24)之外，还同时使相邻薄膜芯片电阻的电阻线路(24)彼此电气隔离。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对于激光平版印刷直接曝光采用了UV激光器，在其光路中设置了一个与要形成的电阻线路(24)的结构相对应的掩膜(19)，这个光学元件(25)在基质的上表面形成。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，例如激发物激光器发射出波长范围在150nm至400nm之间的激光射线(20)。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所采用的基质(10)通过结构化介质(11，12)被划分为各个区域(13)，在每个区...

【专利技术属性】
技术研发人员：沃尔夫冈韦纳，霍斯特沃尔夫，雷纳W科尔，
申请(专利权)人：BC元件控股有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]