【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种锰(金属锰或锰盐)掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻。
技术介绍
功能材料及传感器技术是我国信息技术的三大产业之一。负温度系数热敏电阻元件是传感器技术中最重要，应用面最广，发展最快的一类传感器，为世界各国所重视，已形成一个独立的产业；全世界每年用量达20亿支，国内每年用量约3-4亿支，而国内目前每年生产量为1.5亿左右，国内市场的60-70％被日本、韩国、美国产品所占有。预计到2010年，我国将成为世界上生产、应用和销售热敏电阻的大国，国内用量将达到10亿支以上。随着信息技术的发展、电气化的普及，热敏电阻的用量和品种将大幅度增加，特别是一些高精度、高B值/低阻值元件将成为热敏电阻行业的短线产品。目前，国内外各生产厂家使用的热敏功能材料均是以过渡金属氧化物(如Co3O4、Mn2O3、Fe2O3、NiO、CuO)的混合多晶材料为起始材料(直接用金属氧化物粉体，或者用化学共沉淀法、溶胶-凝胶法由金属盐中制取金属氧化物)，通过压锭烧结、流延技术或压延工艺制备热敏材料。其主要问题是根据多晶氧化物半导体的固有规律，材料常数B值(ΔE/2k)高时电阻率必然也高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，其特征在于该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25℃标称电阻的改变。2.根据权利要求1所述的一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻的制备方法，其特征在于通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，具体操作步骤按下例进行真空扩散a、采用电阻率为0.1-10Ω·cm的p型单晶硅，用粒度5-20μm碳化硼磨硅片，在去离子水中用超声波去砂，冷热去离子水清洗，用王水煮，再用冷热去离子水清洗，再用工业乙醇脱水；b、将处理好的硅片放入一端封闭的石英管中，并放入3-30毫克的金属锰，抽真空，保持真空度1.33×103Pa以上，然后封口；c、将装有金属锰和硅片的密封石英管放在高温扩散炉的恒温区中，在温度800℃-1300℃进行扩散，扩散时间10-60分钟，取出石英管冷却；d、对扩散好的硅片用粒度5μm的碳化硼磨片，用超声...
【专利技术属性】
技术研发人员：巴维真，陈朝阳，丛秀云，张建，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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