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一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，其特征在于该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数Ｂ值和２５℃标称电阻的改变。...
该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。

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