恒电阻率薄膜材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种恒电阻率薄膜材料Ｃｕ↓［３］ＮＰｄ↓［ｘ］及其磁控溅射法的制备方法，其中０．１３＜Ｘ＜０．２４，所用的靶材为纯度均为不低于９９．９％的铜靶和钯靶，氮气作为反应气体，通过调节两者所占靶材面积来剪裁所沉积薄膜中钯的含量。Ｃｕ↓［３］ＮＰｄ↓［ｘ］薄膜材料的电阻率在５Ｋ～２５０Ｋ温度范围内相对变化＜１．０％，也就是说电阻率温度系数几乎为零。这种材料制造的电阻元器件在５Ｋ～２５０Ｋ温度变化的环境中使用，有较好的稳定性，因而更加可靠。更为重要的是，这种恒电阻率材料与合金恒电阻率材料有着完全不同的物理机制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻材料，特别涉及一种。
技术介绍
热稳定性是电子器件制作及其应用的重要课题。其中电阻在一定温区内的恒阻特性使其在航天电子工业、温度变化较大的环境等方面具有十分重要的应用前景。电子器件内材料的电阻，容易受周围工作环境温度的影响而发生较大改变，这种特性极易导致器件的各项性能变差甚至失效。因此探索在较大的温度变换区域内，新型的恒定电阻材料一直是科研技术人员的研究热点，例如发展最快的合金如Ni-Cr和Ni-Cu，在一定温区内具有极低电阻温度系数TCR(±10×10-6)，它们已经被用作新型的薄膜芯片电阻，并投入使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在较大温度区域内电阻几乎没有变化的恒电阻率薄膜材料。本专利技术的目的还在于提供一种制备该恒电阻率薄膜材料的方法。为实现上述目的，本专利技术一种恒电阻率薄膜材料，分子式为Cu3NPdx，其中，0.13＜X＜0.24。一种制备上述恒电阻率薄膜材料的方法，步骤如下1、用常规方法将衬底清洗后放入反应磁控溅射装置的反应室中；2、阴极靶材包括铜靶材和钯靶材，铜和钯的纯度均不低于99.9％，衬底与靶材之间的距离为40～60mm，铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种恒电阻率薄膜材料，其特征在于，所述恒电阻率薄膜材料的分子式为Ｃｕ↓［３］ＮＰｄ↓［ｘ］，其中，０．１３＜Ｘ＜０．２４。

【技术特征摘要】
1.一种恒电阻率薄膜材料，其特征在于，所述恒电阻率薄膜材料的分子式为Cu3NPdx，其中，0.13＜X＜0.24。2.一种制备权利要求1所述的恒电阻率薄膜材料的方法，步骤如下(1)用常规方法将衬底清洗后放入反应磁控溅射装置的反应室中；(2)阴极靶材包括铜靶材和钯靶材，铜和钯的纯度均不低于99.9％，衬底与靶材之间的距离为40～60mm；(3)本底真空度不低于10-4Pa，通入纯度为99.99％的氮气(N2)，调节工作气压至6.0～9.0×1...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹则贤，纪爱玲，马利波，杜允，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]