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本发明公开了一种恒电阻率薄膜材料Ｃｕ↓［３］ＮＰｄ↓［ｘ］及其磁控溅射法的制备方法，其中０．１３＜Ｘ＜０．２４，所用的靶材为纯度均为不低于９９．９％的铜靶和钯靶，氮气作为反应气体，通过调节两者所占靶材面积来剪裁所沉积薄膜中钯的含量。Ｃｕ↓［...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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