【技术实现步骤摘要】
掩模版及曝光设备正交性检测方法
[0001]本专利技术属于曝光设备正交性检测领域，尤其涉及一种掩模版以及用于曝光设备正交性检测方法。
技术介绍
[0002]曝光设备的平面二次元垂直的两个运动方向理论夹角应为90度，如图1所示，而实际夹角α与90度的差值β即为正交性数值，如图2所示，这会导致产品质量下降，因此，需要对曝光设备的正交性进行检测，获得差值β，以便对曝光设备的运动性能进行补偿修正。现有技术中通常通过配套CCD图像相机与相应的配套软件等，采用这种方式使得正交性检测成本较高。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种掩模版及曝光设备正交性检测方法，其旨在解决曝光设备正交性检测成本较高的问题。
[0004]本专利技术是这样实现的：
[0005]一种掩模版，包括：
[0006]掩模基板，由透光材料制成；
[0007]铬层，设于所述掩模基板的一侧板面，并具有四个镂空状的掩模图案，其中，所述掩模图案具有掩模指针图以及掩模刻度图案，所述掩模指针...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，包括：掩模基板，由透光材料制成；铬层，设于所述掩模基板的一侧板面，并具有四个镂空状的掩模图案，其中，所述掩模图案具有掩模指针图以及掩模刻度图案，所述掩模指针图呈线状，且在X方向延伸设置，所述掩模指针图的宽度为指针参照宽度，而长度为指针参照长度，所述掩模刻度图案整体呈矩形，且长度方向为X方向，所述掩模刻度图案包括标数图、一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图和四级刻度图，所述一级刻度图、所述二级刻度图、所述三级刻度图以及所述四级刻度图在Y方向上依次设置，所述一级刻度图包括多条在Y方向上依次间隔设置的一级刻度线，所述一级刻度线呈线状并在X方向延伸设置，所述二级刻度图包括多条在Y方向上依次间隔设置的二级刻度线，所述二级刻度线呈线状并在X方向延伸设置，所述三级刻度图包括多条在Y方向上依次间隔设置的三级刻度线，所述三级刻度线呈线状并在X方向延伸设置，所述四级刻度图设有多个，并在Y方向上依次间隔设置，所述四级刻度图包括多条在Y方向上依次间隔设置的四级刻度线，所述四级刻度线呈线状并在X方向延伸设置，所述一级刻度线、所述二级刻度线、所述三级刻度线和所述四级刻度线的线宽为刻度参照宽度，而长度为刻度参照长度，在所述三级刻度图中，相邻两所述三级刻度线的间距为m1个所述刻度参照宽度，在所述二级刻度图中，相邻两所述二级刻度线的间距为m2个所述刻度参照宽度，在所述一级刻度图中，相邻两所述三级刻度线的间距为m3个所述刻度参照宽度，相邻两所述四级刻度线的间距为m4个所述刻度参照宽度，所述标数图用于标识出各所述一级刻度线、各所述二级刻度线、所述三级刻度线和所述四级刻度线的中心点相对于所述掩模刻度图案的中心点在X方向及Y方向的位置，其中，m1、m2、m3、m4为整数，m1>m2>m3>m4；所述指针参照宽度等于刻度参照宽度，所述指针参照长度大于所述掩模刻度图案的宽度；其中，在将所述掩模图案以所述参考中心线为中心轴线旋转n个90度之后，旋转之后的各所述掩模指针图的中心点所处的位置分别位于旋转之前的各所述掩模刻度图案的中心点，旋转之后的各所述掩模刻度图案的中心点分别位于旋转之前的各所述掩模指针图的中心点，其中，n为奇数。2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述指针参照宽度为1um～5um，所述指针参照长度为5mm～20mm；所述刻度参照长度为20um～40um。3.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述三级刻度图设有两个，在Y方向上间隔设置；两所述三级刻度图的阵列周期均为4个所述刻度参照宽度，且在X方向上错开2个所述刻度参照宽度。4.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，各所述四级刻度图的阵列周期均为2个所述刻度参照宽度，且在X方向上错开1/10个所述刻度参照宽度。5.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模指针图在X方向上到所述参考中心线的距离小于...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯广杰，叶小龙，黄执祥，王栋，
申请(专利权)人：深圳市龙图光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。