【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种介电陶瓷组合物，它适于在高频带如微波和厘米波中用作谐振器、滤波器、天线、电容器、感应器和电路板等的器件中应用。本专利技术还涉及包括这种介电陶瓷组合物的通讯设备器件。最近，介电陶瓷已被广泛地用作移动通讯传播系统通讯设备的滤波器材料。要求这种介电陶瓷的介电损耗(tanδ)低即介电损耗的倒数Q值高；电容(TCC)的温度系数绝对值小；和抗挠强度高。可以预测，使用的无线电波波长越短，通讯系统的频率将越高。因此，在考虑机械精度和导体损耗时，对低介电常数的介电材料的需求会日益增加。作为有低介电常数的常规介电陶瓷组合物的一个实例，是在例如日本专利62(1988)-173797A中推荐的一种介电陶瓷组合物，其中将玻璃加入Al2O3中。作为有低介电常数常规介电陶瓷组合物的另一个实例，是在例如日本专利10(1998)-101308A中推荐的介电陶瓷组合物，其中将玻璃加入Al2O3中。然而，在向Al2O3中加入玻璃的介电陶瓷组合物，其介电常数低，为≤10，但TCC大，为约100ppm/℃。在这一类情况下，需要一种介电常数等于或小于这种介电陶瓷组合物的介电常数，并且...
【技术保护点】
一种介电陶瓷组合物，其中至少包括：第一种成分，其中包括Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＭｇＯ和ＲＯ↓［ａ］，其中Ｒ是至少一种选自Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ和Ｇｄ的元素，ａ是根据Ｒ的价数按化学当量确定的值；第二种成分，ＳｉＯ↓［２］；和第三种成分，其中包含选自ＳｉＯ↓［２］和Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］中至少一种的含两种或多种成分的玻璃组合物。
【技术特征摘要】
JP 2000-4-26 126520/00;JP 2000-10-24 324525/001．一种介电陶瓷组合物，其中至少包括第一种成分，其中包括Al2O3、MgO和ROa，其中R是至少一种选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb和Gd的元素，a是根据R的价数按化学当量确定的值；第二种成分，SiO2；和第三种成分，其中包含选自SiO2和B2O3中至少一种的含两种或多种成分的玻璃组合物。2．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第一种成分可用下列组合物通式表示xAlO3/2-yMgO-zROa式中，x≥55,y≥0.5,z≥0.5，和x+y+z=100。3．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第一种成分的含量为≥5％(重量)和≤50％(重量)。4．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第二种成分的含量为＞0％(重量)和≤40％(重量)。5．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第三种成分的含量为＞0％(重量)和≤90％(重量)。6．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第三种成分，还包括至少一种选自Al2O3、ZrO2、TiO2、BaO、SrO、CaO、MgO、La2O3、PbO、ZnO、Li2O、Na2O和K2O的氧化物。7．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第一成分是一种晶相。8．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中第二成分是一种其粉末的X-射线衍射在间距0.33-0.34nm处最大。9．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，它包括包含第一种成分的一种晶相；包含第二种成分的另一种晶相，其中粉末的X-射线衍射在间距0.33-0.34nm处最大；和包含第三种成分的玻璃相。10．根据权利要求1的介...
【专利技术属性】
技术研发人员：原田健史，加贺田博司，胜村英则，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。