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真空溅射制备柔性导电材料的工艺方法技术

技术编号:3095261 阅读:195 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开的真空溅射制备柔性导电材料的工艺方法,其特征是将柔性薄膜基材置入磁控溅射真空镀膜机中,充入氩气,并将氩气电离,经过电离后的氩离子在磁场作用下轰击金属靶材,使金属粒子溅射沉积在柔性基材表面上,从而使原非导电柔性薄膜基材成为导电体材料;本发明专利技术具有工艺简单、生产成本低、不污染环境、能连续生产、质量稳定、劳动条件好等优点,经过以上导电化处理的非导电材料再进行复合(电镀),可以生产柔性屏蔽材料和高性能挠性复铜板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及柔性导电材料的制备
,特别是利用化纤织物、泡沫塑料或聚酰亚胺材料,采用真空溅射技术制备柔性导电材料的工艺方法。
技术介绍
目前一般的柔性电磁屏蔽材料是在化纤织物或泡沫塑料上涂覆一层铜或其它金属,使其成为导电体,再进行复合(电镀)。这类技术公开报导的有公开号为CN1120654C中公开的中国专利“一种柔性电磁屏蔽材料的制备方法”,这种方法依次由以下步骤组成1、将材料经超声波及碱性液进行预处理;2、预处理后的材料水洗后,放入酸性粗化液中进行粗化处理;3、粗化处理后的材料水洗后,放入活化预处理液中进行活化预处理;4、活化预处理后的材料经水洗后,将材料浸入活化液中进行活化处理;5、活化处理后的材料经水洗后,浸入还原液中进行还原处理,经还原处理后的材料,即建立起后续屏蔽性合金的可镀平台;6、还原后的材料经水洗后,浸入沉铜液中进行沉铜处理;7、沉铜后的材料水洗后,浸入沉镍合金液中进行电镀镍合金、沉镍合金混合处理;8、由以上处理后的材料水洗后,浸入电镀镍合金液中进行电镀镍合金处理;9、最后经水洗、烘干。该方法制成的材料虽然具有屏蔽体分布均匀,柔韧性好,综合屏蔽效能持久等特点,但是其工艺路线复杂,废液处理的难度大,环保投入多。而复铜板的生产正常采用的方法是以玻纤布(纸)为基材,通过树脂胶粘铜箔热压而成,俗称“三层法”。随着电子产品向小型化、高速化、数字化的发展,印刷电路板也有向超薄型、高密度,多层板方向发展的趋势,原有的设备与工艺很难适应生产这种印刷电路板的需要。采用热压和胶粘工艺制备印刷电路板,生产成本高,铜箔厚度在35μm-18μm,当所使用的铜箔厚度低于18μm,特别是对5μm-8μm的高性能覆铜板,采用上述工艺是无法生产的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种无环境污染,能连续生产的,采用真空溅射技术制备柔性导电材料的工艺方法。其是在非导电体的柔性材料上,如在化纤布、泡沫塑料或聚酰亚胺上沉积一层铜、镍或其它金属,使其成为导电体。再进行复合(电镀)而成为电磁屏蔽材料或高性能挠性复铜板,以解决现有电磁屏蔽材料或复铜板生产过程中存在的诸多不足之处。为了实现上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案是,其特征是将柔性薄膜基材置入磁控溅射真空镀膜机中,充入氩气,并将氩气电离,经过电离后的氩离子在磁场作用下轰击金属靶材,使金属粒子溅射沉积在柔性基材表面上,从而使原非导电柔性薄膜基材成为导电体材料;其工艺参数为溅射室本底真空2.1×10-2Pa,工作压强2.6×10-1-5.6×10-1Pa,溅射室温度180℃-260℃,氩气流量250-280Pa,工作电压340V-450V,工作电流5-8A,沉积速率在2-6M/min,方阻5-500Ω。上述柔性薄膜基材为化纤织物、泡沫塑料或聚酰亚胺材料。其厚度为0.06-2.0mm。所使用的金属靶材的材质为铜、镍或其它金属材料。采用上述方法来生产柔性导电材料,具有工艺简单、生产成本低、不污染环境、能连续生产、质量稳定、劳动条件好等优点,经过以上导电化处理的非导电材料再进行复合(电镀),可以生产柔性屏蔽材料和高性能挠性复铜板。具体实施例方式,是将柔性薄膜基材置入磁控溅射真空镀膜机中,充入氩气,并将氩气电离,经过电离后的氩离子在磁场作用下轰击金属靶材,使金属粒子溅射沉积在柔性基材表面上,从而使原非导电柔性薄膜基材成为导电体材料;其工艺参数为供电电源AC50HZ380V,循环冷却水压0.15-0.25Mpa,冷却水温≤20℃,环境温度50-38℃,相对湿度0-85℃,可镀基材宽650mm-1100mm,厚0.06-2.0mm,溅射室本底真空2.1×10-2Pa,工作压强2.6×10-1-5.6×10-1Pa,溅射室温度180℃-260℃,氩气流量250-280Pa,工作电压340V-450V,工作电流5-8A,沉积速率在2-6M/min,方阻5-500Ω。本文档来自技高网
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【技术保护点】
真空溅射制备柔性导电材料的工艺方法,其特征是将柔性薄膜基材置入磁控溅射真空镀膜机中,充入氩气,并将氩气电离,经过电离后的氩离子在磁场作用下轰击金属靶材,使金属粒子溅射沉积在柔性基材表面上,从而使原非导电柔性薄膜基材成为导电体材料;其工艺参数为:溅射室本底真空:2.1×10↑[-2]Pa,工作压强:2.6×10↑[-1]-5.6×10↑[-1]Pa,溅射室温度:180℃-260℃,氩气流量:250-280Pa,工作电压:340V-450V,工作电流:5-8A,沉积速率在2-6M/min,方阻:5-500Ω。

【技术特征摘要】
1.真空溅射制备柔性导电材料的工艺方法,其特征是将柔性薄膜基材置入磁控溅射真空镀膜机中,充入氩气,并将氩气电离,经过电离后的氩离子在磁场作用下轰击金属靶材,使金属粒子溅射沉积在柔性基材表面上,从而使原非导电柔性薄膜基材成为导电体材料;其工艺参数为溅射室本底真空2.1×10-2Pa,工作压强2.6×10-1-5.6×10-1Pa,溅射室温度180℃-260℃,氩气流量250-280Pa,工作电压340V-4...

【专利技术属性】
技术研发人员:李云平
申请(专利权)人:李云平
类型:发明
国别省市:43[中国|湖南]

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