无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部和无Pb软钎焊合金制造技术

技术编号:3093721 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供在无Pb的Sn系材料部的表面抑制晶须产生的无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接部以及无Pb软钎焊合金。本发明专利技术所涉及的配线用导体是在至少部分表面上具有无Pb的Sn系材料部的配线用导体,其为在Sn系材料部中添加从Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中选择的至少一种来作为相变延迟元素,并且添加从Ge、P、K、Zn、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中选择的至少一种来作为氧化抑制元素,并进行回流处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于电子机器的无Pb的Sn系材料、配线用导体、终端连接 部和无Pb软钎焊合金。
技术介绍
以往,在配线材料,特别是铜和铜合金制的配线材料的表面上,为了防 止氧化,实施镀Sn、镀Ag、镀Au或者镀Ni。例如如图1所示,在连接器1 和柔性扁平电缆(以下称做FFC ) 3的终端连接部中,在连接器(连接部件) 1的连接销(金属端子)2、 FFC3的导体4的表面等实施了镀层。其中,Sn 由于其成本低廉、工业上优良,所以, 一般广泛地使用表面上实施了镀Sn的 配线材料。作为该镀Sn用合金,以往使用耐晶须性良好的Sn-Pb合金。但是,近年来,出于环境方面的考虑,需要使用无铅材料(非铅材料)、 无卣素材料,需要实现用于配线材料的各种材料的无铅化、无卤素化。但是, 伴随着镀Sn的无铅化,特别是在纯Sn镀敷中,会在镀Sn膜表面产生Sn的 针状结晶的晶须,如图2所示,这些晶须5有可能造成邻接配线材料(导体4) 之间发生短路。于是考虑到,为了緩和作为产生晶须的原因的向Sn镀膜的负 荷应力,通过对实施了电镀等的Sn镀膜进行回流处理,来降低晶须的产生, 其中,回流处理是在Sn镀膜上进行熔融-再本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无Pb的Sn系材料,其特征在于,在Sn系材料的母材中,添加作为第1添加成分的延迟晶体结构相变的相变延迟元素,以及作为第2添加成分的与所述相变延迟元素不同的元素的氧化抑制元素。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-26 2006-175279;JP 2007-2-26 2007-0459271.一种无Pb的Sn系材料,其特征在于,在Sn系材料的母材中,添加作为第1添加成分的延迟晶体结构相变的相变延迟元素,以及作为第2添加成分的与所述相变延迟元素不同的元素的氧化抑制元素。2. —种配线用导体,其特征在于,在至少部分表面上具有Sn系材料部的 配线用导体中,在Sn系材料部中添加从Sb、 Bi、 Cd、 In、 Ag、 Au、 Ni、 Ti、 Zr、 Hf中选择的至少一种元素来作为第1添加成分,并且添加从Ge、 Zn、 P、 K、 Cr、 Mn、 Na、 V、 Si、 Al、 Li、 Mg、 Ca中选择的至少一种元素来作为第 2添加成分,并进4于回流处理。3. 根据权利要求2所述的配线用导体,其中,所述Sn系材料部中添加的 所述第1添加成分的元素和所述第2添加成分的元素分别为10wt。/。以下。4. 一种配线用导体,其特征在于,对于至少在部分金属导体的表面上具有 无Pb的Sn系材料部的配线用导体,在所述Sn系材料部的上层或者所述金属 导体的上层上,设置由从Sb、 Bi、 Cd、 In、 Ag、 Au、 Ni、 Ti、 Zr、 Hf中选择 的至少一种元素构成的第l添加成分的层,和由从Ge、 Zn、 P、 K、 Cr、...

【专利技术属性】
技术研发人员:西甫辻隆之山野边宽冲川宽
申请(专利权)人:日立电线株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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