形成透光性导电膜用涂覆液、透光性导电膜和分散式电致发光器件制造技术

（要解决的问题）：提供一种能够使形成的半透明导电膜具有优异的透明性和导电性以及耐有机溶剂性的形成半透明导电膜用涂覆液，以及使用这种形成半透明导电膜用涂覆液而形成的半透明导电膜。（解决方法）：形成半透明导电膜用涂覆液含有导电氧化物针状粉末，其分散于包含粘合剂树脂的溶剂中，其中所述粘合剂树脂的玻璃化转变温度（Ｔｇ）是１２０℃或更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成半透明导电膜用涂覆液，它用于形成例如分散式(dispersive)电^L^器件(下文有时缩写为^iUL器件)的透明电极； 特别地，该形成半透明导电綱涂覆液具有良好的半透明性和导电性，还具有 抑制EL器件生产期间诸如膜电阻#等膜性能劣化的能力；由形成半透明导电 膜用涂覆液得到的半透明导电膜；和使用用于透明电板上的半透明导电膜的分 M电lt^it器件。2、
技术介绍
*式EL器件是由交变电压驱动的n器件，到目前为止已经用于蜂窝电 话和远程控制器的液晶显示器的背光和类似的用途。近年来，将其应用到插入 蜂窝电话键输入部分( )的^jfeiAJi和类似处，利用其薄度(大约0. 1毫 米厚)，柔M，亮度的平面一致性，^1贞色的多#4生，低能量消耗等的优点。通常地，应用到，式EL器件等透明电极上的透明导电膜是通过使用形成 透明导电自涂覆液、ii^亍凃覆的方法形成的，该涂覆液包含有导电填料，该 导电:^fr^^含有津^^的溶剂中。作为导电填料用于该形成透明导电膜用涂覆液中的材沐逸常有氧化型填 料，如氧f编-锡(下文也称为IT0)和氧化#~锡(下文也称为AT0)，并 且由于IT0的电阻值低于AT0和其它类似物，因此其应用尤其地广泛。并且，上述形M明导电自涂覆液中使用的导电填料的^J:越小， 选。原因是导电氧化物即导电填料的光吸收性远大于由透明树脂(涂^^且分之 一)^^的粘结剂的光吸收性。相应地，在^^得具有低电阻值的导电膜的范围内，通过尽可負她减小导电氧化物^M相对于粘合剂而言的数量，将增加膜对可见光的a性。由于这些原因，通过添加比添加^Ml粒状导电填料更少量的针^Ml鳞状导电填料，有利于得到更低电阻值的膜。作为一种得到上iil棘氧化物粉末的方法，例如，才 专利文献1的描述，其过程是，在冷冻一种iM/LlU緣细颗粒的胶状^^体， 一种水合i^/LfL化 物细颗粒或类似物以及^X^lL化物细颗^iSl水合氧化物细颗粒:i^^胶M ^:液体溶剂的晶面间的间隙中^,干燥细颗粒以除去溶剂，并且当为含水 氧化物细颗粒时，需要进一步进4亍m。作为得到上述针状氧^^粉末的方法，已经知道例如，才 专利文献2的 热分lf4十状草酸^f到针状氧^^的工艺，或才,专利文献3的热分解白色针 状铟^^粉末得到针状氧^4S-锡的工艺，白色针状4BK^4勿粉末是通錄高 温下加热硝酸铟溶液的,淤浆得到的。作为^^]上述导电填料的形成导电自涂覆液，已经知道例如专利文献4 到6中所指示的^^]针状IT0粉末的糊料。由于通过^^]含有这样的导电氧化 物针状粉末的形成导电自涂覆液形成的导电膜具有比所谓的透明导电膜高的 雾度值(大的M率)，因it,其为半透明导电膜。上述半透明导电膜不是透明的但^b及收小且具有良好的半透明性，因此 足以作为^Li^ EL器件和类似物的透明电极的应用。然而，当才 上述专利文献4到6的描述、将用于形成(半透明)导电膜 用涂覆液(糊料)配用传统^^'J树脂用作^^ EL器件的透明电极时，随之 出现的问M:如果磷M层、介电层、或类似物在上述半透明导电MJi被叠 层印刷，在EL器件生产过程中半透明导电膜的膜性能(电阻值，和类似性能)会劣化。专利文献l:未审乂iHf日本专利出版物No. S62-3003， 专利文献2:未审公开日本专利出版物No. S56-120519, 专利文献3:未审公开日本专利出版物No. H6-293515, 专利文献4:未审乂/Hf日本专利出版物No. H6-309922, 专利文献5:未审公开日本专利出版物No.H9-35873， 专利文献6:未审公开日本专利出版物No. H11-273874,
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是针对上述传统的问题而进行的，它涉及形成半透明导电自涂覆 液，该溶液用于形成用作a式EL器件透明电极的半透明导电膜。本专利技术将要 提供形成半透明导电翻涂覆液，它不鍵透明性和导电性上优越，而且能够抑制EL器件生产过程中膜性能如电阻值的劣化；^D形成半透明导电翻涂 覆液形成的半透明导电膜；和其中的透明电极4M半透明导电膜的W式电致 狄器件。解决问题的方法为提高半透明导电膜的贿才;i^剂性，本专利技术者已经深入研究了用于形成 半透明导电自涂覆液中的粘^']，并且已经发现下述事实，并实现完成了本专利技术在EL器件的生产过程中，当^MJ—种玻i^f匕转变温度(Tg)为12(TC或 更高的树脂时，抑制膜性能如半透明导电膜的电阻值的劣化是可能的。也，&,为了实5Lh述目的，本专利技术的第一个专利技术是形成半透明导电自 涂覆液，其包含导电氧化物针^#末，该导电氧化物针状粉末^*^含有#給 剂树脂的溶剂中，其中所ii^^'j树脂的玻剩構变温度(Tg )是120'C或更高。本专利技术的第二个专利技术是才 第一个专利技术的形成半透明导电自涂覆液，其 中所述沣^'j树脂的玻翻匕转变温度(Tg)是14(TC或更高。本专利技术的第三个专利技术是才財居第一个或第二个专利技术的形成半透明导电膜用涂 覆液，其中所i^^'J树脂是可交联的树脂，并JL^i^剂进一步包含固化剂。本专利技术的第四个专利技术是根提第一个到第三个专利技术的形成半透明导电膜用涂 覆液，其中所述^^'J树脂是至少一种选自^J^脂，环烯树脂，和 才脂 的树脂。本专利技术的第五个专利技术是根悟第四个专利技术的形成半透明导电自涂覆液，其 中所述^J^脂的骨^Ji进一步包含^/或硫。本专利技术的第六个专利技术是根据第三个专利技术的形成半透明导电自涂覆液，其 中所述固化剂是封端异氰酸酯。本专利技术的第七个专利技术是#^第一到第六个专利技术的任^可一个形成半透明导电 翻涂覆液，其中所述导电氧4緣针^^i要由^^一种选自氧^^，氧化 锡，和氧化锌的金属氧^i^誠。本专利技术的第八个专利技术是根悟第一到第七个专利技术的任何一个形成半透明导电 膜用涂覆液，其中所述导电勤緣针状粉末是掺杂有至少一种选自氧4锡，氧 4緣，氧化锌，氧4鹏，和氧4撒的金属氧^4勿的氧^4gl。本专利技术的第九个专利技术是根提第一到第八个专利技术的^^可一个形成半透明导电 自涂覆液，其中所述导电舉/f緣针^^末的平均长宽比是5或更高。本专利技术的第十个专利技术是才 第一到第八个专利技术的掛可一，成半透明导电自涂覆液，其中所述导电氧化物针^^末的平均M为5-20撰沐，是通过将 碎而得到的。本专利技术的第十一个专利技术是才W第一到第十个专利技术的^f可一个形成半透明导 电綱涂覆液，其中所述重量比(导电氧4緣针状粉末净^'J)是(40: 60) 到(90: 10)。本专利技术的第十二个专利技术是^^,第一到第十一个专利技术的^f可一个形成半 透明导电自涂覆液形成的半透明导电膜，其中膜的电阻率是5. . cm或更 小。本专利技术的第十三个专利技术A^式电^t^器件，其中根椐第十二个专利技术的 半透明导电膜用于透明电极上。 专利技术^本专利技术可提供具有高透明44^优良导电性的半透明导电膜，并ibte对应 地，当将其作为^iUL器件和类似器件的透明电城用时，在生产^iUL 器件的过程中，能够抑制膝性能诸如电阻值的劣化；和能够形成上 的半透 明导电涂覆液。M实施方式才M居本专利技术的形成半透明导电自涂覆液包含导电氧^^针^^末，净給 剂树脂和作为主要成分的溶剂。特别地，津^^'j树脂组分具有下述作用粘结 导电氧化物粉末的细颗粒以增强半透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半透明导电膜用涂覆液，它包含导电氧化物针状粉末，其分散于含有粘合剂树脂的溶剂中，其中所述粘合剂树脂的玻璃化转变温度（Ｔｇ）是１２０℃或更高。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-7 2006-106100;JP 2007-4-2 2007-0967321、一种形成半透明导电膜用涂覆液，它包含导电氧化物针状粉末，其分散于含有粘合剂树脂的溶剂中，其中所述粘合剂树脂的玻璃化转变温度(Tg)是120℃或更高。2、 才財居权利要求1所述的形成半透明导电自涂覆液，其中所i^i拾剂树 脂的玻^f匕转变温度(Tg)是14(TC或更高。3、 才 权利要求1或2所述的形成半透明导电自涂覆液，其中所述的粘 M'树脂是可交联的树脂，并JL^斤ii^剂进一步包含固化剂。4、 才M^权利^求1到3任一项所述的形成半透明导电自涂覆液，其中所 述的粘^'J树脂是至少一种选自^J^脂，环烯树脂和徘鹏的树脂。5、 才N^权利要求4所述的形成半透明导电自涂覆液，其中所ii^J^ 脂的骨架上进一步包含^/iU克。6、 根据权利要求3所述的形成半透明导电,涂覆液，其中所述固化剂是 封端异氰酸酯。7、 才Mt权利要求1到6任一项所述的形成半透明导电自涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤贤二，行延雅也，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]