针对ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ冗余码的存取方法技术

本发明专利技术公开了针对ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ冗余码的存取方法，其特征在于：将ＮＡＮＤＦｌａｓｈ中一个块的ｎ个页面作为备用区的扩展空间，其中ｎ≥１；写入数据时，数据存储在一个扇区的数据区中，当需要纠错能力大于１６字节的空间来存放冗余码时，冗余码的前１６字节放入该扇区自带的１６字节备用区中，其余的字节存储在该扇区所对应的备用区的扩展空间中；开辟了新的冗余码存储空间，在次空间内冗余码按块顺序排放，在读取某块数据前，先将冗余码加载至系统内存，供解码单元使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及NAND Flash
，特别是。
技术介绍
NAND Flash是一种用于存储数据的存储介质。 一个NAND Flash由很多块 (BLOCK)组成，每个块又由一定数量的页面(PAGE)组成。 一般来说， 一个页 面由2K字节数据区和64字节备用区组成，结构如图l所示。在数据存储逻辑上，每个页面可以分解为4个扇区(SECTOR),其中每个扇 区包括512字节数据区和16字节备用区。虽然NAND Flash的电荷能永久保存电 晶体的状态，但由于这些电荷被氧化物层隔开(以维持一个稳定的状态)，而这些 氧化物层是会随着时间和使用多少而消失的，因此最终会导致Flash Memory失效。 这也就导致了 NAND Flash在生产和使用过程中会产生坏块。坏块是指该块所在其 中一页或多页在存储数据时，发生数据存储错误。而且，随着使用寿命的增加， 坏块出现的概率也在增大，在NAND Flash使用过程中，如果简单丢弃坏块会造成 很大的资源浪费。所以为了提高FLASH存储的稳定性和使用效率，必须采用一定的数据纠错算 法。通过数据纠错算法后，会有一组冗余码附加在需要存储的数据后面本文档来自技高网...

【技术保护点】
针对ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ冗余码的存取方法，其特征在于：将ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ中一个块的ｎ个页面作为备用区的扩展空间，其中ｎ≥１；写入数据时，数据存储在一个扇区的数据区中，当需要纠错能力大于１６字节的空间来存放冗余码时，冗余码的前１６字节放入该扇区自带的１６字节备用区中，其余的字节存储在该扇区所对应的备用区的扩展空间中。

【技术特征摘要】
1、针对NAND Flash冗余码的存取方法，其特征在于将NAND Flash中一个块的n个页面作为备用区的扩展空间，其中n≥1；写入数据时，数据存储在一个扇区的数据区中，当需要纠错能力大于16字节的空间来存放冗余码时，冗余码的前16字节放入该扇区自带的16字节备用区中，其余的字节存储在该扇区所对应的备用区的扩展空间中。2、 根据权利要求1所述针对NAND Flash冗余码的存取方法，其特征在于 所述页面被划分为等长的段，每一段作为^AND Flash的其余页面中每个扇区备用 区的扩展空间，每一段的长度等于冗余码字节减去16字节后的字节长度。3、 根据权利要求1所述针对NAND Flash冗余码的存取方法，其特征在于 所述一个块的n个页面为第1页一第n页，则li页为备用区的扩展空间，把l i页划分为等长的m段，则从第n+l页开始为包含数据区和备用区的普通页； 以S！表示第n+l页的第一个扇区，R,表示第n+l页的第一个扇区所对应的备用区 的扩展空间，当Ri为第1页的第一段时，则表示第1页的第一段为第n+l页的第 一个扇区的备用区...

【专利技术属性】
技术研发人员：周防，邹铮贤，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]