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本发明公开了针对NAND Flash冗余码的存取方法,其特征在于:将NANDFlash中一个块的n个页面作为备用区的扩展空间,其中n≥1;写入数据时,数据存储在一个扇区的数据区中,当需要纠错能力大于16字节的空间来存放冗余码时,冗余码的前1...该专利属于四川和芯微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川和芯微电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了针对NAND Flash冗余码的存取方法,其特征在于:将NANDFlash中一个块的n个页面作为备用区的扩展空间,其中n≥1;写入数据时,数据存储在一个扇区的数据区中,当需要纠错能力大于16字节的空间来存放冗余码时,冗余码的前1...