电势生成电路制造技术

一个电势生成电路，包括至少一对ＭＯＳ晶体管，每个晶体管都是连成二极管的且串联连接于一个输出节点与一给定电势节点间，以便按同一正方向排列，此两晶体管的各自的背栅极与栅极相连。一个电容连接在所说一对ＭＯＳ晶体管的连接节点与一输入接点间，交流信号由此输入节点输入。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1.专利
本专利技术涉及到一个半导体集成电路，更具体而言，涉及利用连成二极管的MOS晶体管的阈电压来设计电势生成电路的半导体集成电路。2.现有技术描述近来，随着便携式设备，如，笔记本个人计算机、蜂窝电话、个人手提电话等的迅速发展和应用，对于低功耗类型半导体集成电路的需求正在增加。为实现低功耗最普遍采用的方法是用低压电源驱动半导体集成电路。然而，当使用低压电源驱动半导体集成电路时，会产生这样一个缺点由MOS晶体管的阈电压导致的电压降与电源电势的比率较大，而且，使用MOS晶体管的阈电压带来的电压降使得实现电势调整变得尤为困难，这严重影响了电路的设计。附图说明图14是常规的基片电势生成电路的电路图(这里称为VBB生成电路)，例如它在USP4,559,548中有对应的描述。图14中，参考电势节点“a”与地电位VSS相连；输出节点“b”是产生基片电压VBB的一端子，这里VBB低于地电势VSS。在输出节点“b”和参考电压节点“a”之间，连成二极管的P沟道MOS晶体管“P1”和“P2”被串联连接，以使它们按同一正方向排列，“ P1”和“P2”的背栅极(back gate)连至电源电压V本文档来自技高网...

【技术保护点】
电势生成电路，包括：至少一对ＭＯＳ晶体管，其中每一个晶体管都是连成二极管的且串联连接在输出节点与一个给定电势节点间，以便可以按同一正方向排列，另外，每个晶体管的背栅极与其自身的栅极相连；一个电容，连接于所说一对ＭＯＳ晶体管的连接节点 和一个输入节点间，所说输入节点可输入交流信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1995-12-11 321760/951.电势生成电路，包括至少一对MOS晶体管，其中每一个晶体管都是连成二极管的且串联连接在输出节点与一个给定电势节点间，以便可以按同一正方向排列，另外，每个晶体管的背栅极与其自身的栅极相连；一个电容，连接于所说一对MOS晶体管的连接节点和一个输入节点间，所说输入节点可输入交流信号。2.根据在权利要求1中的一个电势生成电路，所说两个MOS晶体管都是连...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞田洋一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]