【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将主存储单元和使在该主存储单元中写入的数据传送到外部的CPU集成在一块芯片上、或者将主存储单元和进行按该主存储单元中所写入数据的运算等的CPU集成在一块芯片上的半导体集成电路器件及其测试方法。以面向个人计算机(尤其与多媒体技术相适应的LSI产品作为中心，LSI产品的高速化有惊人的发展。图7表示面向个人计算机的LSI产品的示意图。如图7所示，在电路板601的上面装有设置多个兆位级动态型RAM603，从而达到兆字节(MB)级存储容量的主存储单元605，和将多个动态型RAM603汇总在一起进行控制的控制器607。在这种LSI产品的场合，从主存储单元605来的数据传送，实现从100MB/秒到最大300MB/秒的速率。而且，近几年一直出现设置专用动态型RAM和对其进行控制的专用控制器，并通过在电路板上设置的专用总线连接它们，使数据传送速率提高到最大500MB/秒取得成功的特殊LSI产品。图8表示面向个人计算机的特殊LSI产品的示意图。如图8所示，在电路板701的上面装有设置多个兆位级专用动态型RAM703，从而达到MB级存储容量的主存储单元705、包括将...
【技术保护点】
一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件，其特征在于，包括设置在半导体芯片上的主存储单元；设置在所述芯片上的至少对从所述芯片外向所述主存储单元的数据输入和从所述主存储单元向所述芯片外的数据输出进行控制的控制器；具有设置在所述芯片上的能改写数据的存储单元，并按在该存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行测试的自测试手段。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1995-11-29 310619/951.一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件，其特征在于，包括设置在半导体芯片上的主存储单元；设置在所述芯片上的至少对从所述芯片外向所述主存储单元的数据输入和从所述主存储单元向所述芯片外的数据输出进行控制的控制器；具有设置在所述芯片上的能改写数据的存储单元，并按在该存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行测试的自测试手段。2.如权利要求1所述的控制器大容量存储器混装半导体集成电路器件，其特征还在于，自测试手段具有按在所述能改写数据的存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行自测试，并且使根据这种自测试求得的所述主存储单元的故障地址存储在与所述主存储单元不同的其它存储单元中的功能，还包括按在所述能改写数据的存储单元中写入的自保护处理序列，对存储在所述其它存储单元的所述主存储单元的故障地址所对应的不合格部分进行自保护处理的自保护手段。3.一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法，其特征在于，在至少包括设置在半导芯片上的主存储单元；设置在所述芯片上的至少对从所述芯片外向所述主存储单元的数据输入和从所述主存储单元向所述芯片外的数据输出进行控制的控制器；设置在所述芯片内的能改写数据的存储单元；按设置在所述芯片上的所述能改写数据的存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行自测试，并且使根据这种自测试求得的所述主存储单元的故障地址存储在与所述主存储单元不同的其它存储单元中的自测试电路；按设置在所述芯片上的所述能改写数据的存储单元中写入的自保护序列，对存储在所述其它存储单元的所述主存储单元的故障地址所对应的不合格部分进行自保护处理的自保护电路的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法中，根据从外部测试器送来的信号，分别至少对所述控制器、所述其它存储单元、所述能改写数据的存储单元、所述自测试电路和所述自保护电路进行测试，从所述外部测试器将自测试序列写入所述能改写数据的存储单元中，按照在所述能改写数据的存储单元中写入的自测试序列，利用从所述自测试电路送来的信号，至少对所述主存储单元进行测试。4.如权利要求3所述的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法，其特征还在于，从所述外部测试器将自保护序列写入所述能改写数据的存储单元，按照所述能改写数据的存储单元中写入的自保护序列，利用所述自保护电路，对存储在所述其它存储单元中的故障地址所对应的所述...
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