【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及用于非易失存储器的高压和低压选择电路，特别涉及整体集成到用于存储器的CMOS技术高转换速度电路的选择器。集成电路越来越涉及到根据被激活的操作相分配给电路内部的不同电压的供给。例如，在器件的不同功能相期间为了偏置字线，在半导体非易失存储器(FLASH、EPROM、E2PROM)中需要不同的电压。例如，对于NOR存储器结构，读操作包括给被寻址单元的字线加上与电源电压(Vdd=3或5伏)相同的偏压，而在编程相期间必须施加适当的更高的电压(例如Vpp=12伏)。Vdd是来自器件外部电源的电源电压，而Vpp可以是外部输送的电压，或者是从Vdd内部产生的电压。而且，对于多级存储器件，在读相期间字线偏置电压可以超过电源电压Vdd(通常为3或5伏)。为了以可靠方式分配大于两个的更大数量的级，可行的单元电流的范围必须扩展到至少100-120μA；但是，这种电流值只是可能的，其中采用5到6伏范围的栅电压。此外，在特殊功能相期间(如为测试目的而激活的那些相)，为了在DMA(直接存储器存取)模式中读取，必须使选择的单元的字线达到0到Vpp范围的模拟电压，正如本领域...
【技术保护点】
一种选择器，整体集成到用于电可编程存储单元器件的ＣＭＯＳ技术电路上，具有：分别耦合到第一（ＨＶ）和第二（ＬＶ）电压发生器上的第一和第二输入端，来自所述发生器的电压分别是较高的电压和较低的电压；输出端（ＯＵＴ）；和分别连接到第一和第二电压发生器上的第一（编程）和第二（检验）控制端；其特征在于它包括：适于在选择器的输出端（ＯＵＴ）和电路地之间形成低阻抗放电路径的第一电路装置（Ｎ１、Ｎ２）；和检测选择器的输出端的电压的电路装置（Ｐ１、Ｎ３、Ｎ４），它们被耦合到第二电压发生器（ＬＶ）并适于根据输出端电压下降到预定值而使所述第一电路装置去激活，并适于通过耦合到第一和第二控制端的相位发...
【技术特征摘要】
EP 1998-6-30 98830391.31．一种选择器，整体集成到用于电可编程存储单元器件的CMOS技术电路上，具有分别耦合到第一(HV)和第二(LV)电压发生器上的第一和第二输入端，来自所述发生器的电压分别是较高的电压和较低的电压；输出端(OUT)；和分别连接到第一和第二电压发生器上的第一(编程)和第二(检验)控制端；其特征在于它包括适于在选择器的输出端(OUT)和电路地之间形成低阻抗放电路径的第一电路装置(N1、N2)；和检测选择器的输出端的电压的电路装置(P1、N3、N4)，它们被耦合到第二电压发生器(LV)并适于根据输出端电压下降到预定值而使所述第一电路装置去激活，并适于通过耦合到第一和第二控制端的相位发生器(PHG)发送控制信号给第二控制端，其中所述预定值接近于来自第二电压发生器的电压值。2．根据权利要求1的选择器，其特征在于第一电路装置包括一起串联在地(GND)和选择器输出端(OUT)之间的第一(N1)和第二(N2)n沟道晶体管，并且电压检测电路装置包括第三(N3)和第四(N4)n沟道晶体管以及第五p沟道晶体管(P1)，它们一起串联连接在地(GND)和选择器输出端(OU...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山德罗曼斯特雷特，安德烈亚皮耶里，圭多托雷利，
申请(专利权)人：ST微电子公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]
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