【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成存储器，特别是一种铁电存储器，具有存储电容器，安排在由字导线和由比特导线和具有比特导线参考电压相应的参考比特导线组成的比特导线对的交叉点上，具有选择晶体管，经过该选择晶体管存储电容器与比特导线相连和其控制电极与字导线相连，和具有差分写入/读出放大器，这个放大器经过传输晶体管与比特导线对相连，用于将数据从存储电容器中读出和写入存储电容器中，以及产生比特导线参考电压的相应方法的集成存储器。这样的集成存储器作为DRAM或者FeRAM在文献DE 19903199A1中是已知的，其中例如为了将数据从1-晶体管-1-电容器类型的存储单元的铁电存储电容器中读出，在参考比特导线上要求一个定义的参考电压。信息是通过介质的极化状态存储在铁电存储电容器中的。当通过差分读出放大器读出被存储的信息时，可以在与存储电容器连接的比特导线上，对于逻辑1由于相应的极化状态例如出现或者测出一个电压为1.2V和对于逻辑0由于相反的极化状态出现或者测出一个电压值为0.5V。将这个电压值经过差分放大器与参考比特导线的参考电压进行比较。在此将此比特导线参考电压的准确数值在试验阶段...
【技术保护点】
集成存储器，特别是铁电存储器，具有存储电容器（ＭＣ），将存储电容器安排在字导线（ＷＬｉ）和由比特导线（ＢＬｉ）和具有比特导线参考电压（Ｖ／ＢＬｉ）的参考比特导线（／ＢＬｉ）组成的比特导线对（ＢＬｉ，／ＢＬｉ）的交叉点上；具有选择晶体管（ＴＭ），经过这个选择晶体管将存储电容器与比特导线相连，和将其控制电极与字导线相连，和具有差分写入／读出放大器（ＳＡ），这个放大器经传输晶体管（Ｔ）与比特导线对相连用于从存储电容器（ＭＣ）中读出数据和在存储电容器（ＭＣ）中写入数据， 其特征为， 主参考比特导线（／ＢＬＯ）经过电荷开关元件（ＴＬ）与参考电压（ＶＲＥＦ）相连；和至少一个...
【技术特征摘要】
DE 2000-3-23 10014387.31．集成存储器，特别是铁电存储器，具有存储电容器(MC)，将存储电容器安排在字导线(WLi)和由比特导线(BLi)和具有比特导线参考电压(V/BLi)的参考比特导线(/BLi)组成的比特导线对(BLi,/BLi)的交叉点上具有选择晶体管(TM)，经过这个选择晶体管将存储电容器与比特导线相连，和将其控制电极与字导线相连和具有差分写入/读出放大器(SA)，这个放大器经传输晶体管(T)与比特导线对相连用于从存储电容器(MC)中读出数据和在存储电容器(MC)中写入数据，其特征为，主参考比特导线(/BL0)经过电荷开关元件(TL)与参考电压(VREF)相连和至少一个其他的参考比特导线(/BLi)为了在参考比特导线的寄生电容之间电荷平衡经平衡开关元件(TA)与主参考比特导线相连。2．按照权利要求1的存储器，其特征为，参考电压(VREF)是由参考电压源提供的。3．按照权利要求1或2的存储器，其特征为，为了电荷平衡借助于三个平衡开关元件(TA)将主参考比特导线(/BL0)与三个其他的参考比特导线(...
【专利技术属性】
技术研发人员：T贝姆，Z曼约基，R埃斯特尔，T雷尔，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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