【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有一个或多个沿行方向及列方向分别排列配置多个非易失性存储单元，为了从其中选择规定的存储单元或存储单元组，沿行方向与列方向分别排列配置多根字线与多根位线而成的存储单元阵列的半导体存储装置，特别涉及一种在存储器载体中使用了可变电阻元件的存储单元阵列的擦除方法。
技术介绍
近年来的半导体存储装置的进步显著，特别是从闪烁存储器可以电改写，且即使切断电源数据也不消失方面来看，被使用于可容易地移动的存储卡或移动电话机等中，作为装置工作的初始设定，发挥作为非易失地存储的数据保存(data storage)、程序保存等的功能。作为上述闪烁存储器，公知ETOX(美国INTEL公司注册商标)型存储单元。该ETOX型存储单元，如图9所示，在半导体基板1内形成源极3及漏极2，该源极·漏极具有与半导体基板1相反的极性。另外，在该源极·漏极上形成栅绝缘膜4，接着在其上面形成浮栅(floating gate)5、层间绝缘膜6、控制栅极7。该ETOX型单元10的工作原理，是在数据写入(编程)时，作为源极电压Vs，向源极3提供通常的低电压(例如0V)，在漏极2上施加Vd(例...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备一个或多个存储单元阵列与擦除机构，所述存储单元阵列，沿行方向及列方向排列配置多个具备利用电阻的变化来存储信息的可变电阻元件的非易失性存储单元，为了从其中选择规定的存储单元或存储单元组，沿行方向与列方向分别排列配置多根字线与多根位线，所述存储单元构成为，连接所述可变电阻元件的一端与选择晶体管的漏极，将所述可变电阻元件的另一端和所述选择晶体管的源极中的任何一方沿所述列方向共同连接在所述位线上，而将其另一方共同连接在源线上，将所述选择晶体管的栅极沿所述行方向共同连接在所述字线上，所述擦除机构，构成为分别以规定的施加条件，在与所述存储单元阵列连接的所述字线、所述位线及所述源线上施加电压，通过使该存储单元阵列内的擦除对象的所述存储单元内的所述可变电阻元件的电阻成为规定的擦除状态，从而可以擦除该存储单元内的所述信息，并且，在所述存储单元阵列的至少一个中，根据所述电压的施加条件切换批擦除该存储单元阵列内的全部所述存储单元的批擦除模式和所述擦除机构个别地擦除该存储单元阵列内的一部分所述存储单元的个别擦除模式，施行所述擦除操作。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述批擦除模式与所述个别擦除模式的施加条件是分别施加在所述字线、所述位线及所述源线上的电压值。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述擦除机构，在所述批擦除模式中，在所述批擦除模式的施加条件下，对所述存储单元阵列的全部所述存储单元进行电压的施加后，判断所述各存储单元是否已被擦除，当所述字线单位中的沿行方向全部存储单元被擦除时，对该字线停止所述批擦除模式的施加条件下的电压施加，对于所述字线单位中的沿行方向全部存储单元未被擦除的存储单元，对该字线反复进行所述批擦除模式的施加条件下的电压施加与所述判断，直到在所述字线单位中沿行方向全部的存储单元被擦除。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，具备分别以规定的施加条件，在与所述存储单元阵列内的写入对象的所述存储单元连接的所述字线、所述位线及所述源线上施加电压，通过使该存储单元内的所述可变电阻元件的电阻成为规定的写入状态，而将所述信息写入该存储单元内的写入机构，在所述批擦除模式中，在所述擦除机构以所述批擦除模式的施加条件对所述存储单元阵列内的全部所述存储单元进行电压施加之前，所述写入机构，以使所述可变电阻元件的电阻统一为规定的写入状态的方式，对该存储单元的全部进行写入操作。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述擦除机构，在所述个别擦除模式中，在所述个别擦除模式的施加条件下，对所述存储单元阵列内的擦除对象的所述存储单元进行电压的施加后，个别地判断该存储单元是否已被擦除，对于被擦除的存储单元，停止对与该存储单元连接的所述字线或所述位线的至少任何一方以所述个别擦除模式的施加条件的电压施加，对于未被擦除的存储单元，在存储单元单位中反复进行所述个别擦除模式的施加条件下的电压施加与所述判断，直到该存储单元被擦除。6.一种半导体存储装置，其特征在于，具备一个或多个存储单元阵列与擦除机构，所述存储单元阵列构成为，沿行方向及列方向排列配置多个具备利用电阻的变化来存储信息的可变电阻元件的非易失性存储单元，为了从其中选择规定的存储单元或存储单元组，沿行方向与列方向分别排列配置多根字线与多根位线，所述存储单元构成为，连接所述可变电阻元件的一端与选择晶体管的漏极，将所述可变电阻元件的另一端与所述选择晶体管的源极中的任何一方沿所述列方向共同连接在所述位线上，而将其另一方共同连接在源线上，将所述选择晶体管的栅极沿所述行方向共同连接在所述字线上，所述擦除机构，构成为分别以规定的施加条件，在与所述存储单元阵列连接的所述字线、所述位线及所述源线上施加电压，通过使该存储单元阵列内的擦除对象的所述存储单元内的所述可变电阻元件的电阻成为规定的擦除状态，从而可以擦除该存储单元内的所述信息，并且，构成为对所述存储单元的至少一个，将所述电压的施加条件设定为批擦除模式的施加条件，从而可以将该存储单元阵列内的全部所述存储单元批擦除，以及对所述存储单元阵列的其他的至少一个，将所述电压的施加条件设定为个别擦除模式的施加条件，从而可以将该存储单元阵列内的一部分所述存储单元个别地擦除。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述批擦除模式与所述个别擦除模式的施加条件是分别施加在所...
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