升压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种升压电路，该升压电路的各升压单元（１１～１３）具有：连接成二极管的第一Ｎｃｈ晶体管（Ｍ１１）；栅极与漏极连接到电源电压（ＶＤＤ），源极连接到第一Ｎｃｈ晶体管（Ｍ１１）的源极的第二Ｎｃｈ晶体管（Ｍ１２）；设置在输入第一Ｎｃｈ晶体管（Ｍ１１）的漏极以及时钟信号（ＣＬＫ１）或（ＣＬＫ２）的升压时钟输入端子（ＣＬＫＭ）之间的升压用电容器（ＣＰ）。在升压用电容器（ＣＰ）上，通过由作为从外部输入的控制信号的升压能力切换信号（ＥＮ１～ＥＮｎ）控制的连接切换电路（１３１～１３ｎ），分别并联连接ｎ个辅助升压用电容器（ＣＳ１～ＣＳｎ）。由此，减小对给定升压电位的输出电位的变动幅度，并且可以由简单的电路构成而容易进行控制。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于非易失性半导体存储装置等的半导体集成电路装置中的升压电路。
技术介绍
以往通过比较升压的输出电位(升压电位)和基准电位来控制升压电位的上限值的升压电路，比如在非易失性半导体存储装置的删除用以及写入用的高电压供给电路中，用于防止为决定升压电位的上限值而设置的晶体管破坏的目的(比如，参照专利文献1)。图20表示的在专利文献1中记载的以往的升压电路的构成的一个例子。如图20所示，多个(n个，n是大于等于1的整数)泵电路811～81n分别由其栅极与漏极连接并且相互串联连接的第一N沟道MOS晶体管MN1以及第二N沟道MOS晶体管MN2；其一方电极连接各晶体管MN1、MN2的栅极，另一方电极接受从泵控制信号发生电路860输出的互补信号的泵控制信号Tc、Bc的第一激励电容器C1以及第二激励电容器C2构成。初级的泵电路811通过由其栅极以及漏极连接的N沟道MOS构成的电源晶体管NTr81，顺方向连接电源端子Vcc。而且，最后级的泵电路81n的输出端子，其栅极以及漏极连接于电源端子Vcc的上拉用N沟道MOS晶体管NTr82的源极，在取出升压电位(输出电位)VPUMP的同时，与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种升压电路，其特征在于，具有：升压部，其具有根据时钟信号对输入电压升压后输出一个或者多个相互串联连接的升压单元，该升压单元分别包含电荷传送晶体管和相互并联连接的多个升压用电容器；升压电压检测部，其检测所述升压部输出的电压， 当检测出的升压电压低于给定电压值时，输出检测信号；和时钟发生部，其根据所述检测信号输出所述时钟信号；所述升压部具有根据控制信号切换所述多个升压用电容器的连接状态的连接切换电路。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-7 2003-0612191.一种升压电路，其特征在于，具有升压部，其具有根据时钟信号对输入电压升压后输出一个或者多个相互串联连接的升压单元，该升压单元分别包含电荷传送晶体管和相互并联连接的多个升压用电容器；升压电压检测部，其检测所述升压部输出的电压，当检测出的升压电压低于给定电压值时，输出检测信号；和时钟发生部，其根据所述检测信号输出所述时钟信号；所述升压部具有根据控制信号切换所述多个升压用电容器的连接状态的连接切换电路。2.一种升压电路，其特征在于，具备时钟振幅切换部，其根据控制信号，输出对第一时钟信号的振幅变更切换后的第二时钟信号；升压部，其具有根据所述第二时钟信号对输入电压升压后输出的一个或者相互串联连接的多个升压单元，该升压单元分别包含电荷传送晶体管和升压用电容器；升压电压检测部，其检测所述升压部输出的升压电压，当检测出的升压电压低于给定电压值时，输出检测信号；和时钟发生部，其根据所述检测信号输出所述第一时钟信号。3.一种升压电路，其特征在于，具备升压部，其具有一个或串联连接的多个升压单元，该升压单元分别包含相互并联连接的、将前级的输出电压作为输入并向后级输出的多个电荷传送晶体管、和一方电极与所述多个电荷传送晶体管的输出端子连接而另一方电极接收第一时钟信号的输出电压用电容器；升压电压检测部，其检测所述升压部输出的升压电压，当检测出的升压电压低于给定电压值时，输出检测信号；和时钟发生部，其根据所述检测信号，输出所述第一时钟信号以及与该第一时钟信号的相位不同的第二时钟信号；所述升压部具有多个栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：诹访仁史，滨本幸昌，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]