具有为读写放大器产生电压的电压产生电路的集成存储器制造技术

一种集成存储器包含存储单元阵列，其具字线（ＷＬ０至ＷＬ２）及位线（ＢＬ０、ＢＬ１），及亦具读写放大器，其系连接于该位线以进行存取及放大数据信号的目的。一种电压产生器电路（ＶＧ１、ＶＧ２）产生施用于该读写放大器（ＳＡ）的供电电压，一种电位差使用不同供电电位被施用于该读写放大器，该电压产生器电路在该读写放大器（ＳＡ）的存取及放大操作期间增加施用于该读写放大器的该电位差一段有限时间期间（Ｔ）。电荷相依控制，根据此其可使用经订定量的电荷产生增加的电位差，被实施于该电压产生器电路。结果，使得一种存取及放大操作可在相当高的切换速度及低功率消耗进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于具存储单元阵列的集成存储器，其具字线以选择存储单元及具位线以读取或写入数据信号，及亦具读写放大器，读写放大器系连接于位线以进行存取及放大数据信号的目的。进一步提供电压产生器电路以产生施用于该读写放大器的供电电压。
技术介绍
一种集成存储器，例如以DRAM的型式，一般具包括字线及位线的存储单元阵列。在此情况下，该存储单元被排列于该位线及该字线的交叉点。该存储单元特别是由储存电容器及选择晶体管制造，该选择晶体管连接该个别储存电容器至该位线的其中一个，该个别选择晶体管的控制终端个别连接至该字线的其中一个以进行选择存储单元的目的。主动的字线个别地开启连接的选择晶体管。在相关字线已被选择后，沿该经选择字线的该存储单元的数据信号存在于相对应位线。该经选择存储单元的数据信号在该存储单元阵列的读写放大器被存取及放大。在读取存取期间，该经选择存储单元的数据信号被读取以进一步处理，及在写入存取期间，要被写入的该数据信号被被写至该经选择存储单元。在存储器存取期间，字线首先被活化，结果，沿该字线排列的该存储单元经由相关选择晶体管被个别传导地连接至位线，在此情况下，所储存电荷根据该存储单元电容及位线电容被分割，根据这两电容的比值(一般称的转换比率)，此导致位线电压的偏差。位于位线一端的读写放大器存取此电压及放大该相当低的电位差直到该位线已达到储存逻辑1(对应于如正供电电位)的全信号位准或是逻辑0(对应于如参考电位)的信号位准，这些全信号位准系由电压产生器电路提供，此电压产生器电路系连接至该相关读写放大器。存储器的供应电压的值被固定的减少，特别是以可靠性及低能量消耗的持续增加需求之观点。在该减少过程中，现代集成存储器调节外部施用的供应电压至在该存储器内的较小供应电压。另一方面，存储器的较高处理速度及较高数据产出为需求的，特别是因为增加的存储器尺寸。然而，特别是关于集成存储器的读写放大器的供电电压，为减少功率消耗的较小供应电压亦产生相关读写放大器的切换速度之降低亦为真，若用于存取及放大操作的读写放大器使用该较低供应电压活化。
技术实现思路
本专利技术系基于订定一种集成存储器的目的，其中存取及放大操作系由在相当高切换速度的读写放大器进行，及其中，低功率消耗为可行。此目的可藉由根据权利要求第1项的集成存储器达到。根据本专利技术，所提及型式的集成存储器之电压产生器电路先产生应用于读写放大器的供电电压，电位差使用不同供电电位被施用于该读写放大器。在该读写放大器的存取及放大操作期间，该电压产生器电路增加应用于该读写放大器的电位差一段有限时间。根据本专利技术，应用于该读写放大器的增加电位差因而使得对切换速度为关键性的该读写放大器的存取及放大操作的部份为可进行的，且结果为可得到该读写放大器的相当高切换速度。在同时，因对其余时间期间所施用电位差为相当低的结果，该集成存储器的功率消耗被降低。根据本专利技术的一个具体实施例，在该读写放大器的存取及放大操作期间，该电压产生器电路增加在该读写放大器的第一端点的第一供电电位及/或减少在该读写放大器的第二端点的第二供电电位。根据本专利技术，电荷相依控制，根据此其可使用经订定量的电荷产生增加的电位差，被实施于该电压产生器电路，此表示增加的电位差在相关的的存取及放大操作前藉由被充电的经订定电容以电荷控制方式被施用于读写放大器，该电容接着在存取及放大操作期间被再次放电。本专利技术的进一步有利设计及发展被订定于子权利要求。附图说明本专利技术参考图式更详细解释于下，这些图式表示用于本专利技术的示例具体实施例及被说明于图式中，其中第1图显示根据本专利技术集成存储器的存储单元阵列之图标说明，第2图显示根据本专利技术读写放大器的供电电压之电位数据，第3图显示具读写放大器的电压产生器电路之具体实施例，与相关信号图，及第4图显示根据本专利技术具读写放大器的电压产生器电路之具体实施例，及相关信号图。具体实施例方式第1图显示集成存储器M的存储单元阵列之图标说明，其中存储单元MC沿字线WL0、WL1、WL2及位线BL0、BL1排列，该存储单元MC被排列于该位线BL0、BL1及该字线WL0、WL1、WL2的交叉点。在本示例具体实施例中，因清晰缘故，仅有限数目的字线及位线被示出，但实际上集成存储器具许多字线及位线。每一个存储单元MC包括储存电容C，其经由选择晶体管AT被连接至该位线BL0、BL1的其中一个，为选择该存储单元MC的其中一个，个别选择晶体管AT由活化的字线WL0、WL1、WL2开启，结果为数据信号可被接着由经选择存储单元被读取，或是写至经选择存储单元。该经选择存储单元的数据信号存在于该相关位线BL0、BL1且在该说明的读写放大器SA0、SA1的其中一个被存取及放大。在自该存储单元的其中一个读取数据信号的操作期间，经储存电荷根据该存储单元电容及位线电容被分割，根据这两电容的比值，此导致该位线电压的偏差，该读写放大器SA0、SA1存取此位线电压，及当读取该存储单元时，放大该相当低的电位差直到该相关位线已达到储存逻辑1(对应于如正供电电位V1)的全信号位准或是逻辑0(对应于如该供电电位V2)的信号位准，该供电电位V1及V2系由电压产生器电路产生(未说明于第1图)，且结果为相对应电位差存在于该感应放大器SA0、SA1。第2图显示根据本专利技术原则，示于第1图的读写放大器SA0、SA1的供电电压之电位数据。在存取及放大操作开始时，该供电电位V1＝Vb1h及V2＝gnd+V存在于该读写放大器SA0、SA1。此在该供电电位V1及V2间的相当低的电位差使得该存储器的相当低功率消耗为可行。为在该读写放大器的存取及放大操作期间增加切换速度，在瞬时t1及t2间的时间期间T，增加的电位差被施用于示于第1图的该相关读写放大器SA0、SA1，在此实例，更精确地说于V1＝Vb1h+V及V2＝gnd。所以，在此情况下，在该读写放大器SA0、SA1的存取及放大操作期间，在该相关读写放大器的上方端点的供电电位V1被增加及在该相关读写放大器的下方端点的供电电位V2被减少。第3图显示具读写放大器SA的电压产生器电路之具体实施例，其中电路时间控制被实施，根据此，该电位差在订定时间期间被增加。该电压产生器电路VG1(第3A图)具脉冲成形器PF，其驱动PFET晶体管P1及NFET晶体管N1，该晶体管P1及N1系分别连接至该供电电位Vb1h+V及gnd。该两晶体管P1、N1分别以信号/P及P驱动，其关于彼此为倒反。相反地，该PFET晶体管P2系连接至该供电电位Vb1h及该NFET晶体管N2系连接至该供电电位gnd+V。根据第3A图所示的说明，该电压产生器电路VG1的两供应路径SP1、SP2被据此提供用于该读写放大器SA，该供应路径具不同的电位差。第3B图说明信号图，示于第3A图该电压产生器电路VG1根据此被操作。对该感应放大器SA的存取及放大操作(开始于瞬时t1)，该脉冲成形器PF的控制信号SET被切换至该主动状态。结果，该脉冲成形器PF产生主动信号P，其开启该晶体管N1，该晶体管P1由倒反信号/P开启。具订定时间期间T的控制脉冲P或/P据此在该读写放大器SA的存取及放大操作开始时被产生，该控制脉冲驱动具该较高电位差的供应路径SP1。在存取及放大操作结束前，该控制脉冲P在瞬时t2被去活化及该控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成存储器－具一种存储单元阵列，其具字线（ＷＬ０至ＷＬ２）以选择存储单元（ＭＣ）及具位线（ＢＬ０、ＢＬ１）以读取或写入数据信号，－具读写放大器（ＳＡ、ＳＡ０、ＳＡ１），其系连接于该位线（ＢＬ０、ＢＬ１）以进行存取及放大数据信号的目的，－具电压产生器电路（ＶＧ１、ＶＧ２）以产生施用于该读写放大器（ＳＡ）的供电电压，一种电位差使用不同供电电位（Ｖｂｌｈ、ｇｎｄ＋Ｖ）被施用于该读写放大器，－其中该电压产生器电路（ＶＧ１、ＶＧ２）在该读写放大器（ＳＡ）的存取及放大操作期间增加施用于该读写放大器的该电位差（Ｖｂｌｈ＋Ｖ、ｇｎｄ）一段有限时间期间（Ｔ），－其中电荷相依控制（ＰＦ、Ｃ１、Ｃ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｎ３、Ｎ４），根据此其可使用经订定量的电荷产生增加的电位差，被实施于该电压产生器电路（ＶＧ２）。

【技术特征摘要】
DE 2003-4-10 10316581.91.一种集成存储器-具一种存储单元阵列，其具字线(WL0至WL2)以选择存储单元(MC)及具位线(BL0、BL1)以读取或写入数据信号，-具读写放大器(SA、SA0、SA1)，其系连接于该位线(BL0、BL1)以进行存取及放大数据信号的目的，-具电压产生器电路(VG1、VG2)以产生施用于该读写放大器(SA)的供电电压，一种电位差使用不同供电电位(Vb1h、gnd+V)被施用于该读写放大器，-其中该电压产生器电路(VG1、VG2)在该读写放大器(SA)的存取及放大操作期间增加施用于该读写放大器的该电位差(Vb1h+V、gnd)一段有限时间期间(T)，-其中电荷相依控制(PF、C1、C2、P3、P4、N3、N4)，根据此其可使用经订定量的电荷产生增加的电位差，被实施于该电压产生器电路(VG2)。2.根据权利要求第1项的集成存储器，其中在该读写...

【专利技术属性】
技术研发人员：R施奈德，J沃而拉思，M格纳特，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]