【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种存储设备、一种信息存储方法、一种方法、以及一种结构化的材料。
技术介绍
微电子学的飞速发展常常以Moore’s规律为代表,其预测每个集成电路的晶体管数目将继续保持每两年增加一倍。这种成倍增加要求各个连续的下一代的集成电路中各个晶体管的物理尺寸减小。然而,达到这种缩减的难度越来越大,由于复杂性呈指数级的增长并且对开发新一代集成电路的时间要求,到了不能经济可行地继续遵循Moore’s规律的程度。另一方面,与微处理器相反,对存储芯片的巨大需求可证明这种对存储设备的高开发成本。目前对发展更小的存储设备(特别是形状尺寸进入纳米规模的设备)的需求仍然很大。现有的随机存取存储(如SRAM,DRAM)设备在一排存储单元中存储信息,每个单元存储一个单一的二进制数据位。在一种典型的存储设备中,通过对与包含该单元的那行阵列关联的字线施加合适的电势并测量与该单元关联的位线的所得的电势,可读取存储在具体单元中的数据位。现有的存储设备的难点之一是每个单元的物理尺寸的减小程度有限,对信息存储的密度设置上限。例如,在基于晶体管的存储设备中,尽管每个晶体管的门信号宽度极小(在现有技术中通常约为100nm),但每个单元的总表面积或覆盖区至少要大一个数量级。因此,需要一种存储设备,其具有更简单的结构,可制造更高密度的单元。因此,需要提供一种存储单元,一种信息存储方法,一种方法,和一种结构化的材料,解决现有技术中的一个或多个难点,或至少提供一种有用的选择。
技术实现思路
在本专利技术中,提供一种信息存储的方法,包括在基体的一个或多个区域施加压力和移去压力,以在所述一个或多个区域 ...
【技术保护点】
一种信息存储方法,包括:在基体的一个或多个区域中施加压力和移去压力,以在所述一个或多个区域中存储信息。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】AU 2003-12-9 20039068081.一种信息存储方法,包括在基体的一个或多个区域中施加压力和移去压力,以在所述一个或多个区域中存储信息。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述一个或多个区域提供用于存储设备的一个或多个存储单元。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,各个所述存储单元的尺寸是纳米规模级的。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括测量所述一个多个区域的性能,以确定存储在所述一个或多个区域中的信息。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述性能包括电导率或电阻率。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加和移去压力包括将所述一个或多个区域从至少一种第一相转变为至少一种第二相。7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述至少一种第一相包括非晶体相,所述至少一种第二相包括至少一种晶体相。8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述非晶体相是松散的非晶体相。9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述基体基本上是硅。10.如权利要求6所述的方法,其特征在于,包括加热所述一个或多个区域,以在所述一个或多个区域中诱导进一步的相变。11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述加热将所述至少一种晶体相转变为电导率更大的晶体相。12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加和移去压力的步骤包括控制施加和移去压力中的至少一个,以确定存储在所述一个或多个区域中的信息。13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加和移去压力包括控制所述移去压力的速率,以确定存储在所述一个或多个区域中的信息。14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括选择施加到各个所述一个或多个区域的压力,以确定存储在所述一个或多个区域中的信息。15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述压力选自许多预定的压力,以在各个所述一个或多个区域中提供多位信息存储。16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述施加和移去压力将所述一个或多个区域的电导率从第一电导率改变为第二电导率,并且所述方法还包括在所述一个或多个区域施加和移去压力,以将所述一个或多个区域的电导率从第二电导率改变为第三电导率。17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述第三电导率基本上等于所述第一电导率。18.一种方法,包括在松散的非晶体硅的一个或多个区域施加压力和移去压力,以将所述一个或多个区域转变为基本上为晶体的硅。19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,还包括步骤加热所述一个或多个区域,以将所述基本上是晶体的硅转变为进一步的晶体相。20.如权利要求19所述的方法,其特征在于,所述进一步的晶体相比所述基本上是晶体的硅具有更大的电导率。21.如权利要求18所述的方法,其特征在于,还包括步骤在所述一个或多个区域施加压力和移去压力,以将所述一个或多个区域中基本上是晶体的硅转变为基本上是非晶体的硅。22.如权利要求18所述的方法,其特征在于,包括控制施加到所述一个或多个区域的压力,以确定所述一个或多个基本上为晶体的硅区域的至少一种尺寸。23.如权利要求22所述的方法,其特征在于,所述施加到各个区域的压力选自许多预定的压力。24.如权利要求22所述的方法,其特征在于,包括控制在所述一个或多个区域上的压力的进一步施加和移去,以改变所述基本上是晶体的硅区域的至少一种尺寸。25.一种方法,包括对基体的一个或多个区域施加或移去压力,以转变所述一个或多个区域的至少一种性能。26.如权利要求25所述的方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:JS威廉姆斯,JE布拉德比,MV斯温,
申请(专利权)人:日欧塔控股有限公司,
类型:发明
国别省市:AU[澳大利亚]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。