半导体器件及其形成方法技术

器件包括半导体管芯。半导体管芯包括器件层、在器件层上方的互连层、在互连层上方的导电焊盘、直接在导电焊盘上的导电晶种层，以及密封导电焊盘和导电晶种层的钝化层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。实施例还涉及半导体器件及其形成方法。实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺形成的最小元件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供收益。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要在IC加工和制造中进行类似的开发。
[0003]例如，具有改进余地的制造领域之一是晶圆测试，这是一种确定器件性能和制造缺陷的机制。分割(从半导体晶圆去除电路元件(诸如芯片))之前，评估晶圆上的测试结构以及功能器件的电性能。晶圆测试系统通常使用探针卡，其包括成百上千的探针尖端，用于与晶圆上的测试焊盘进行牢固的电连接。探针尖端可以是针状尖端(或圆状尖端)或扁平尖端。与扁平尖端相比，针状尖端的制造成本更高，维护起来也更困难，并且使用寿命比扁平尖端短。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体管芯，包括器件层、在所述器件层上方的互连层、在所述互连层上方的导电焊盘、直接在所述导电焊盘上的导电晶种层、以及密封所述导电焊盘和所述导电晶种层的钝化层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电焊盘包括铝，以及所述导电晶种层包括钛铜。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电焊盘包括铝、铝铜、铜和钛中的一种；以及所述导电晶种层包括钛铜、氮化钛和镍中的一种。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层是第一钝化层，还包括在所述互连层上方的第二钝化层，其中所述导电焊盘穿透所述第二钝化层并且电连接到所述互连层，其中所述第一钝化层设置在所述第二钝化层、所述导电焊盘以及所述导电晶种层上方。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括穿过所述钝化层并且直接置于所述导电晶种层上的导电部件。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括穿过所述钝化层并且直接置于所述导电焊盘的区域上的导电部件。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电晶种层的顶表面是基本平坦的。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括接合到所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘献文，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：