包括垂直接合焊盘的半导体器件制造技术

本发明专利技术题为“包括垂直接合焊盘的半导体器件”。本技术涉及半导体器件，该半导体器件包括半导体管芯，该半导体管芯在管芯的边缘上形成有垂直管芯接合焊盘。在晶片制造期间，垂直接合焊盘块形成在晶片的划线中并且电耦接到半导体管芯的管芯接合焊盘。垂直接合焊盘块在晶片切片期间被切穿，从而使较大垂直取向的焊盘暴露在每个半导体管芯的垂直边缘上。暴露在每个半导体管芯的垂直边缘上。暴露在每个半导体管芯的垂直边缘上。

【技术实现步骤摘要】
包括垂直接合焊盘的半导体器件

技术介绍

[0001]便携式消费电子设备需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储器设备，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储器设备理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制器、PDA、蜂窝电话和固态驱动器。
[0002]虽然已知许多不同的封装配置，但是闪存半导体器件通常可以被制造为系统级封装(SIP)或多芯片模块(MCM)，其中多个半导体管芯被安装并互连到小足迹基板的上表面。基板通常可以包括刚性的电介质基部，其具有在一侧或两侧上蚀刻的导电层。常规半导体管芯包括靠近管芯的上表面的边缘的管芯接合焊盘。管芯以阶梯式偏移配置堆叠在基板上，以便允许触及堆栈中的每个管芯的上表面上的管芯接合焊盘。
[0003]随着不断存在的在给定大小的半导体封装中增加存储容量的驱动，越来越多的管芯在基板上堆叠在一起。考虑到堆叠管芯的阶梯式偏移，管芯堆栈的总长度在可包括在半导体封装中的半导体管芯的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体管芯，包括：第一主表面和第二主表面；多个管芯接合焊盘，所述多个管芯接合焊盘形成在所述第一主表面中；边缘，所述边缘在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸；和多个边缘焊盘，所述多个边缘焊盘在所述边缘处暴露，所述多个边缘焊盘电耦接到所述多个管芯接合焊盘，并且所述多个边缘焊盘被配置为接收球状凸块和/或丝焊。2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述多个边缘焊盘在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸所述边缘的整个高度。3.根据权利要求1所述的半导体管芯，还包括多个垂直接合焊盘块，每个垂直接合焊盘块包括所述多个边缘焊盘中的边缘焊盘。4.根据权利要求3所述的半导体管芯，其中所述多个垂直接合焊盘块中的垂直接合焊盘块还包括在所述半导体管芯的所述第一主表面处暴露的第一表面，所述第一表面被配置为接收球状凸块和/或丝焊。5.根据权利要求4所述的半导体管芯，其中所述垂直接合焊盘块还包括在所述半导体管芯的所述第二主表面处暴露的第二表面，所述第二表面被配置为接收球状凸块和/或丝焊。6.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中在从晶片切片所述半导体管芯时，所述多个边缘焊盘在所述边缘处暴露。7.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述多个管芯接合焊盘形成在所述半导体管芯的芯片区中，并且所述多个边缘焊盘形成在所述半导体管芯的划线区中。8.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述多个管芯接合焊盘通过所述半导体管芯内的一个或多个金属化层电耦接到所述多个边缘焊盘。9.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述多个管芯接合焊盘通过形成于所述第一主表面上方的再分布层电耦接到所述多个边缘焊盘。10.一种半导体器件，包括：多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在管芯堆栈中安装在一起，所述多个半导体管芯中的每个半导体管芯包括：第一主表面和第二主表面，多个管芯接合焊盘，所述多个管芯接合焊盘形成在所述第一主表面中，边缘，所述边缘在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸，和多个垂直接合焊盘块，所述多个垂直接合焊盘块电耦接到所述多个管芯接合焊盘，所述多个垂直接合焊盘块中的每个垂直接合焊盘块包括在每个半导体管芯的所述边缘处暴露的边缘焊盘；和电连接器，所述电连接器将所述多个半导体管芯彼此电耦接。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯彼此直接重叠。12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述电连接器包括球焊和/或焊线，并且其中所述多个垂直接合焊盘块的所述边缘焊盘被配置为接收所述球焊和/或焊线。13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述电连接器包括焊线，所述焊线耦接到所述管芯堆栈中的所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：K佩里扬南，D林嫩，J帕卡穆图，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：