闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质，所述方法为在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。本发明专利技术通过间隔预设时间再执行新一轮重读处理，能够在不需要准确知道需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置，也不需要准确测量该位置的温度情况下，对该物理位置进行降温，从而提升重读数据准确性。而提升重读数据准确性。而提升重读数据准确性。

【技术实现步骤摘要】
闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及闪存重读
，特别涉及一种闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]Nand flash(闪存)是现如今广泛使用的存储产片，具有速度快，非易失等优良特性。其内部实际上以存储电荷的形式来表示数据，在实际使用过程中，由于各种内外部条件的变化会导致存储电荷数量的变化，如果这一变化累积到一定程度，以默认的读操作来访问Nand flash，很可能无法得到正确的数据。一般来说Nand flash的生产厂家会允许调整用于判决闪存单元状态的读电压，通过调整读电压来将数据正确的恢复出来，通常这个过程被称为重读。
[0003]导致Nandflash数据错误bit上升一般有以下原因：读写温度变化，例如在高低温环境的读写行为；Dataretention(数据保持)，本质上是存储在闪存单元中的电荷随时间慢慢流失；Readdisturb(读干扰)。
[0004]中国专利(申请公布号为CN105895161A)公开了一种存储装置、存储器系统及它们的操作方法，温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存数据重读方法，其特征在于，所述方法包括：在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。2.根据权利要求1所述的闪存数据重读方法，其特征在于，所述预设时间的范围为20至40秒。3.根据权利要求2所述的闪存数据重读方法，其特征在于，所述预设时间为30秒。4.根据权利要求1所述的闪存数据重读方法，其特征在于，所述重读处理的具体流程为：从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。5.一种闪存数据重读装置，其特征在于，所述装置包括：重读模块，用于在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧玲，朱钦床，陈宗廷，李斌，
申请(专利权)人：深圳市宏旺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：