集成电路结构及其制造方法技术

一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包含晶体管、前侧内连接结构、背侧介层窗及背侧内连接结构。晶体管包含源极/漏极磊晶结构。前侧内连接结构是在晶体管前侧上。背侧介层窗是连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构。背侧内连接结构是连接至背侧介层窗，且背侧内连接结构包括导电特征、介电层及间隙壁结构。导电特征是连接至背侧介层窗。介电层是横向包围导电特征。间隙壁结构是在导电特征及介电层之间，且间隙壁结构具有空气间隙。且间隙壁结构具有空气间隙。且间隙壁结构具有空气间隙。

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构及其制造方法


[0001]本揭露是关于一种集成电路结构及其制造方法，特别是关于一种背侧内连接结构具有空气间隙的集成电路结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(Integrated Circuit，IC)产业已经历指数成长。IC材料及设计在科技进步下已产出IC世代，每一个世代相较于前一个世代，都具有更小且更复杂的电路。在IC进化的过程中，功能密度(例如：单位晶片面积之内连接的装置数)通常随着几何尺寸[换言之，利用制程所能制作的最小元件(或线)]的减少而增加。尺度缩小制程通常提供增加生产效率和减少相关成本的效益。

技术实现思路

[0003]本揭露的一态样是提供一种集成电路结构。集成电路结构包含晶体管、前侧内连接结构、背侧介层窗及背侧内连接结构。晶体管包含源极/漏极磊晶结构。前侧内连接结构是在晶体管前侧上。背侧介层窗是连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构。背侧内连接结构是连接至背侧介层窗，且背侧内连接结构包括导电特征、介电层及间隙壁结构。导电特征是连接至背侧介层窗。介电层是横向包围导电特征。间隙壁结构是在导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包含：一晶体管，包含一源极/漏极磊晶结构；一前侧内连接结构，在该晶体管的一前侧上；一背侧介层窗，连接至该晶体管的该源极/漏极磊晶结构；以及一背侧内连接结构，连接至该背侧介层窗，且该背侧内连接结构包括：一导电特征，连接至该背侧介层窗；一介电层，横向包围该导电特征；以及一间隙壁结构，在该导电特征及该介电层之间，且该间隙壁结构具有一空气间隙。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该间隙壁结构包含一第一间隙壁，该第一间隙壁接触该介电层，且与该导电特征分开。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该间隙壁结构包含一第二间隙壁，且该空气间隙是在该第二间隙壁及该介电层之间。4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：一隔离结构，横向包围该背侧介层窗。5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该背侧内连接结构还包含：一阻障层，介于该导电特征及该间隙壁结构之间。6.一种集成电路结构，其特征在于，包含：一晶体管，包含一源极/漏极磊晶结构；一前侧内连接结构，电性连接至该晶体管的该源极/漏极磊晶结构的一前侧；及一背侧介层窗，电性连接至该晶体管的该源极/漏极磊晶结构的一背侧；以及一背侧内连接结构，包括：一介电层；以及一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：游力蓁，苏焕傑，黄麟淯，庄正吉，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：