一种半导体结构的制备方法及其应用方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构的制备方法及其应用方法，属于集成电路技术领域。本发明专利技术的半导体结构的制备方法，其至少包括以下步骤：提供一基板，所述基板上包括互连层和覆盖所述互连层的钝化层；在所述钝化层上形成连接互连层的第一导电体，所述第一导电体的表面与所述钝化层的表面齐平；在所述第一导电体上形成第二导电体，所述第二导电体呈长柱状。本发明专利技术解决了由于半导体器件尺寸缩减导致的金属垫与导电凸起之间的结合力不好的问题。导电凸起之间的结合力不好的问题。导电凸起之间的结合力不好的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及其应用方法


[0001]本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及其应用方法。

技术介绍

[0002]为了不断提高集成电路和集成系统的性能及性能价格比，人们不断缩小半导体器件的特征尺寸，因为随着器件特征尺寸的缩小，会使工作速度提高、功耗降低。同时，可以把更多的元器件做在一个芯片上，从而提高集成度，降低单元功能的平均价格。
[0003]半导体结构通常利用与金属垫连接的导电凸起与其他半导体结构作电连接，但随着半导体结构尺寸的微缩，导电凸起之间的间距也在不断缩小，现有的金属垫为了与导电凸起进行结合，势必要缩小间距，这会导致金属垫面积缩小，导致金属垫与导电凸起之间的结合力不好。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制备方法及其应用方法，解决了随着半导体结构尺寸的微缩，金属垫间距、面积减小，从而导致的金属垫与导电凸起之间的结合力不好的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0006]本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：提供一基板，所述基板上包括互连层和覆盖所述互连层的钝化层；在所述钝化层上形成连接互连层的第一导电体，所述第一导电体的表面与所述钝化层的表面齐平；在所述第一导电体上形成第二导电体，所述第二导电体呈长柱状。2.根据权利要求1所述一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二导电体的形成过程包括以下步骤：在所述钝化层和所述第一导电体表面旋涂液态聚酰亚胺层，加热烘干后形成第一阻挡层。3.根据权利要求2所述一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述液态聚酰亚胺层的加热烘干温度范围为150℃-250℃。4.根据权利要求2所述一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二导电体的形成过程还包括以下步骤：刻蚀所述第一阻挡层在对应所述第一导电体的位置形成开口。5.根据权利要求4所述一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二导电体的形成过程还包括以下步骤：在所述第一阻挡层上沉积导电材料以填充所述开口。6.根据权利要求5所述一种半导体结构的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建财，张傲峰，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：