用于集成电路中的裸片到裸片通信的间隔件制造技术

一种多裸片集成电路器件及制造所述多裸片集成电路器件的方法涉及衬底。两个或多个裸片包括实现多裸片集成电路的功能的部件。这些部件包括逻辑门。多裸片集成电路器件还包括设置在衬底与两个或多个裸片中的每一个裸片之间的间隔件。两个或多个裸片中的每一个裸片与衬底直接电接触，而不与间隔件通过间隔件中的孔进行直接电接触。孔进行直接电接触。孔进行直接电接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于集成电路中的裸片到裸片通信的间隔件

技术介绍

[0001]本专利技术涉及集成电路，并且更具体地涉及用于集成电路中的裸片(die)到裸片通信的间隔件。
[0002]典型地，集成电路是通过光刻工艺在单个晶片上生产的。晶片被切割(即，切成裸片)成许多片，每个片被称为裸片(die)。每个裸片通常是电路的副本。随着裸片继续变得更复杂并且尺寸增加，裸片产量减小。这是因为，对于给定的缺陷密度，裸片的增加的密度导致随机缺陷的更高机会。减少产量损失的方法涉及分裂裸片以减少密度且因此减少缺陷。然而，将单个裸片的部件分割成两个或更多个裸片需要在裸片之间以足够高的速率进行更大的通信。硅(Si)桥已经用于互连裸片，但是在组装时已经导致显著的挑战。互连裸片的Si中介层需要穿硅过孔(TSV)工艺，并且还导致组装挑战。此外，Si中介层还可能存在功率递送和信号完整性问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例涉及多裸片集成电路器件和制造多裸片集成电路器件的方法，该多裸片集成电路器件涉及衬底和包括实现多裸片集成电路的功能的部件的两个或多个裸片。这些部件包括逻辑门。多裸片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多裸片集成电路器件，包括：衬底；两个或多个裸片，包括实现所述多个裸片的集成电路的功能的部件，其中所述部件包括逻辑门；间隔件，所述间隔件被布置在所述衬底与所述两个或多个裸片中的每一个裸片之间，其中，所述两个或多个裸片中的每一个裸片与所述衬底进行直接电接触而不与所述间隔件通过所述间隔件中的孔进行直接电接触。2.如权利要求1所述的器件，其中，所述间隔件包括布线，所述布线用于将所述两个或多个裸片中的一个裸片连接至所述两个或多个裸片中的另一个裸片。3.如权利要求2所述的器件，其中，所述布线包括多个焊盘，所述多个焊盘用于将所述布线的每个端部电连接至所述两个或多个裸片中的所述一个或另一个裸片。4.如权利要求1所述的器件，其中，所述间隔件包括机械焊盘，所述机械焊盘用于将所述间隔件机械地连接至所述两个或多个裸片中的一个裸片。5.如权利要求1所述的器件，其中，所述两个或多个裸片中的每一个裸片经由分别穿过所述间隔件中的所述孔的导电柱与所述衬底电接触。6.如权利要求5所述的器件，其中，所述导电柱是铜。7.如权利要求1所述的器件，其中，所述间隔件包括第二组孔，并且将聚合物质分配到所述第二组孔中。8.如权利要求1所述的器件，其中，所述间隔件包括电容器，并且所述间隔件包括所述电容器上方的氧化物。9.如权利要求1所述的器件，其中，所述间隔件是硅、玻璃、陶瓷或有机低热膨胀系数(CTE)材料。10.如权利要求1所述的器件，其中，所述间隔件中的所述孔被钝化。11.一种制造多裸片集成电路的方法，所述方法包括：制造包括实现所述多裸片集成电路的功能的部件的两个或多个裸片，其中所述部件包括逻辑门；制造间隔件并且将所述间隔件布置在衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：