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本发明公开一种半导体结构的制备方法及其应用方法，属于集成电路技术领域。本发明的半导体结构的制备方法，其至少包括以下步骤：提供一基板，所述基板上包括互连层和覆盖所述互连层的钝化层；在所述钝化层上形成连接互连层的第一导电体，所述第一导电体的表面...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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