【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本专利申请要求2006年8月24日提交的，申请号为2006-80693的韩国 专利申请的优先权，通过引用将其全部内容合并于此。
这里公开的本专利技术涉及半导体存储器设备，更具体地，涉及闪存设备。技术背景作为非易失性存储器的闪存设备是电可擦除可编程的只读存储器 (EEPROM)的一种类型，其中，通过编程操作可以向多个存储器块写入数 据。 一般的EEPROM可以以一次可擦除或可编程一个存储器块的特性操作。 这意味着在同时从其它的存储器区域中读取数据和同时向其它的存储器区 域中写入数据的系统中，闪存可以更快更有效地操作。通常，闪存或EEPROM 被配置使得被用来存储数据的、围住电荷存储元件的绝缘薄膜由于反复操作 而随着时间-波逐渐耗尽。即使是在没有电源的情况下，闪存也将信息存储在它们的硅片上。即， 在没有电能消耗的情况下，甚至是在到芯片的电源中断的条件下，闪存也能 保持其信息。此外，对于读取而言，闪存提供对物理振动的耐受性和快速存取时间。由于这些特性，闪存被广泛地用作由电池供电的电子装置中的存储 单元。根据门的逻辑安排， 一般将闪存分成NOR和N...
【技术保护点】
一种半导体非易失性存储器设备，包括： 多个存储器块，每个存储器块被分段为主区和备用区；以及 块信息存储区，被配置为存储与所述多个存储器块相关联的块信息。
【技术特征摘要】
KR 2006-8-24 80693/061.一种半导体非易失性存储器设备，包括多个存储器块，每个存储器块被分段为主区和备用区；以及块信息存储区，被配置为存储与所述多个存储器块相关联的块信息。2. 如权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述块信息包括所述 多个存储器块的坏块信息。3. 如权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述块信息存储区包 括一个或多个存储器块。4. 如权利要求1所述的半导体存储器设备，还包括寄存器块，被配置为临时存储开电时从所述块信息存储区中读取的块信自5. 如权利要求4所述的半导体存储器设备，其中，响应于来自所述外部 系统的请求，向所述非易失性存储器设备的外部系统输出所述寄存器块的块 信息。6. 如权利要求1所述的半导体存储器设备，还包括读/写电路，接收与所述多个存储器块相关联的块信息，并被配置为将所 接收到的块信息存储在所述块信息存储区中。7. 如权利要求6所述的半导体存储器设备，其中，所述读/写电路包括 控制块；页緩冲器电路，被配置为在所述控制块的控制下临时存储通过列选择电 路传输而来的块信息；以及行选择电路，依据所述控制块的调节，选择所述块信息存储区。8. —种闪存设备，包括存储器单元阵列，包括多个存储器块，每个存储器块被分段为主区和 备用区，以及存储所述存储器块的块信息的块信息存储区；页緩冲器电路，被配置为从所述块信息存储区中读出所述块信息；以及 寄存器块，被配置为存储通过列选择器电路而从所述页緩冲器电路传送 而来的所述块信息。9. 如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：金恩敬，牟炫宣，姜相喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]
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