同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料制造技术

本发明专利技术公开了一种同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料，所述电阻浆料由导电粉末、玻璃粘结相、添加剂和有机载体组成，其中导电粉末为银粉、钯粉、二氧化钌、钌酸铅中的至少一种；玻璃粘结相为铅硼硅玻璃复合镁铝尖晶石。本发明专利技术采用银粉、钯粉、二氧化钌、钌酸铅为导电相，保证在不同阻值，电阻浆料具有良好的阻值和温度系数，通过采用镁铝尖晶石和铅硼硅玻璃粉复合材料，使电阻浆料在氧化铝陶瓷基板和隔离介质层上使用，均具有阻值一致性好、温度系数小的特点，满足各类厚膜电路产品的使用要求。产品的使用要求。产品的使用要求。

【技术实现步骤摘要】
同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料


[0001]本专利技术涉及一种电阻浆料，特别是涉及一种应用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层上，具有阻值一致性好，温度系数小特点的厚膜电阻浆料。

技术介绍

[0002]厚膜电阻浆料是一种集冶金、化学、材料、电子技术、分析测试技术等多学科领域于一身的技术密集型产品。为适应印刷、烧结工艺要求和实际应用要求，他必须具备可印刷性、功能特性和工艺兼容性。常用的电阻浆料是由功能相、粘结相、添加剂与有机载体组成，按一定比例混合而成的一种膏状物。
[0003]厚膜电阻浆料作为生产各类厚膜集成电路的基础原材料之一，要求具有阻值范围宽，能满足集成电路激光调阻要求，多层厚膜集成电路应用中与隔离介质浆料匹配性良好，阻值、温度系数稳定的需求。
[0004]现有厚膜集成电路用电阻浆料针对氧化铝陶瓷基板和隔离介质层，分别设计电阻浆料，产品不能通用。造成多层厚膜集成电路产品使用不方便，给集成电路设计和制造过程带来麻烦。因此，需要一种既可以应用于氧化铝陶瓷基板又与隔离介质层具有良好匹配性的厚膜电阻浆料。

技术实现思路

[0005]本专利技术针对现有技术的不足，提供一种同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层，具有阻值一致性好、温度系数小的特点的厚膜电阻浆料。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料由下述重量百分比的原料制成：导电粉末20%～45%、玻璃粘结相20%～45%、添加剂1%～7%、有机载体30%～40%。r/>[0007]所述玻璃粘结相为铅硼硅玻璃复合镁铝尖晶石，其制备方法为：按重量百分比，将25%～75%粒度1～2μm的铅硼硅玻璃粉和25%～75%粒度0.5～1μm的镁铝尖晶石，用球磨机加去离子水湿混2～3小时后干燥，然后在800
±
15℃马弗炉中保温烧结30～40分钟，破损球磨至粒度0.8～1.3μm。
[0008]所述导电粉末为银粉、钯粉、二氧化钌、钌酸铅中至少一种，其中银粉粒度范围为1～3μm，钯粉比表面积为5～15m2/g，二氧化钌比表面积为25～55m2/g，钌酸铅比表面积为3～10m2/g。
[0009]所述铅硼硅玻璃粉包含以下重量百分比的组分：PbO 20%～60%、SiO
2 5%～25%、CaO 5%～20%、Al2O
3 1%～10%、B2O
3 1%～20%、ZnO 0%～10%，所述PbO、SiO2、CaO、Al2O3、B2O3和ZnO在玻璃中的重量百分比之和至少为95%，铅硼硅玻璃粉的软化温度为450～500℃，粒度为1～2μm。
[0010]所述添加剂为CuO、MnO、Nb2O5、Sb2O3中至少两种按任意比例的混合物，其粒度为1～2μm。
[0011]所述有机载体的重量百分比组成为：树脂8%～15%，有机添加剂1%～5%，有机溶剂80%～90%；其中，所述树脂选自松香树脂、乙基纤维素、羟基纤维素、甲基纤维素中任意一种或多种；所述有机溶剂选自松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯中任意一种或多种；所述有机添加剂选自卵磷脂、油酸中任意一种或两种。
[0012]本专利技术的有益效果如下：本专利技术采用铅硼硅玻璃复合镁铝尖晶石并应用于电阻浆料中，镁铝尖晶石与铅硼硅玻璃进行复合的过程，铅硼硅玻璃熔融后，均匀的粘附在镁铝尖晶石表面，在镁铝尖晶石表面形成玻璃包覆层，镁铝尖晶石作为内部骨架结构，玻璃层作为粘结附着材料，解决了传统厚膜电阻浆料在氧化铝陶瓷和隔离介质上性能不匹配的问题，其用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层，均具有阻值一致性好、温度系数小的特点。本专利技术电阻浆料的制备工艺简单，工艺适应性强、图形效应小。
附图说明
[0013]图1是电阻浆料性能测试制作的印刷网版图形。
具体实施方式
[0014]下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明，其并不对本专利技术的保护范围起到限定作用。本专利技术的保护范围仅由权利要求限定，本领域技术人员在本专利技术公开的实施例的基础上所做的任何省略、替换或修改都将落入本专利技术的保护范围。
[0015]1、导电粉末的选择：银粉粒度范围1～3μm，钯粉比表面积为5～15m2/g，二氧化钌比表面积为25～55m2/g，钌酸铅比表面积为3～10m2/g。
[0016]2、铅硼硅玻璃粉的制备：按照重量百分比PbO 57%、SiO
2 7%、CaO 13%、Al2O
3 3%、B2O
3 15%和ZnO 5%，将各种氧化物混合均匀后，所得混合物置于1150℃的熔炼炉中进行熔炼，保温时间1.5h，得到的玻璃溶液进行水淬后得到玻璃，将玻璃破碎成玻璃渣，并将玻璃渣用球磨机磨成粒度1～2μm，干燥得铅硼硅玻璃粉。
[0017]3、玻璃粘结相的制备：将上述铅硼硅玻璃粉与粒度0.5～1μm的镁铝尖晶石按表1重量百分比，采用球磨机加去离子水湿混2h后干燥，然后在800℃马弗炉中保温烧结30min，破损球磨至粒度范围为0.8～1.3μm，得到G
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1至G
‑
5铅硼硅玻璃复合镁铝尖晶石，作为玻璃粘结相。
[0018]表1 玻璃粘结相重量百分比（%）同时，以玻璃粘结相G
‑
6至G
‑
9做对比试验，玻璃粘结相G
‑
6至G
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9的制备方法如下：按照重量百分比，将50%铅硼硅玻璃粉与14.1%粒度0.5～1μm的氧化镁、35.9%粒度
0.5～1μm的氧化铝，采用球磨机加去离子水湿混2h后干燥，然后在800℃马弗炉中保温烧结30min，破损球磨至粒度范围为0.8～1.3μm，作为玻璃粘结相G
‑
6。
[0019]按照重量百分比：PbO 28.5%、SiO
2 3.5%、CaO 6.5%、Al2O
3 1.5%、B2O
3 7.5%、ZnO 2.5%、粒度0.5～1μm的镁铝尖晶石50%，将各种物质混合均匀，然后置于1150℃的熔炼炉中进行熔炼，保温时间1.5h，得到的玻璃溶液进行水淬后得到玻璃，将玻璃破碎成玻璃渣，并将玻璃渣用球磨机磨成粒度1～2μm，干燥作为玻璃粘结相G
‑
7。
[0020]按照重量百分比：PbO 28.5%、SiO
2 3.5%、CaO 6.5%、Al2O
3 37.4%、B2O
3 7.5%、ZnO 2.5%、MgO 14.1%，将各种氧化物混合均匀后，然后置于1150℃的熔炼炉中进行熔炼，保温时间1.5h，得到的混合物进行水淬后得到玻璃渣，将玻璃渣用球磨机磨成粒度1～2μm，干燥作为玻璃粘结相G
‑
8。
[0021]将粒度0.5～1μm的镁铝尖晶石在800℃马弗炉中保温烧结30min后，与铅硼硅玻璃粉按重量百分比各为50%，采用球磨机加去离子水湿混2h后干燥，然后破损球磨至粒度范围为0.8～1.3μm，作为玻璃粘结相G
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料，其特征在于所述电阻浆料由下述重量百分比的原料制成：导电粉末20%～45%、玻璃粘结相20%～45%、添加剂1%～7%、有机载体30%～40%；所述玻璃粘结相为铅硼硅玻璃复合镁铝尖晶石，其制备方法为：按重量百分比，将25%～75%粒度1～2μm的铅硼硅玻璃粉和25%～75%粒度0.5～1μm的镁铝尖晶石，用球磨机加去离子水湿混2～3小时后干燥，然后在800
±
15℃马弗炉中保温烧结30～40分钟，破损球磨至粒度0.8～1.3μm。2.根据权利要求1所述的同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料，其特征在于：所述导电粉末为银粉、钯粉、二氧化钌、钌酸铅中至少一种，其中银粉粒度范围为1～3μm，钯粉比表面积为5～15m2/g，二氧化钌比表面积为25～55m2/g，钌酸铅比表面积为3～10m2/g。3.根据权利要求1所述的同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料，其特征在于所述铅硼硅玻璃粉包含以下重量百分比的组分：...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹿宁，党丽萍，吴高鹏，王妮，王博，张建益，马倩，
申请(专利权)人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：