一种低尺寸效应的厚膜电阻浆料制造技术

本发明专利技术公开了一种低尺寸效应的厚膜电阻浆料，所述厚膜电阻浆料包含功能材料、玻璃粉、轻烧莫来石、白云石、有机载体和任选的添加剂。本发明专利技术通过引入轻烧莫来石和白云石对电阻烧结后的图形效应进行优化，使电阻具备了图形效应不明显的优点，可满足不同图形尺寸的厚膜集成电路和不同规格的片式电阻器产品的使用要求。求。

【技术实现步骤摘要】
一种低尺寸效应的厚膜电阻浆料


[0001]本专利技术属于电子浆料领域，具体涉及一种低尺寸效应的厚膜电阻浆料。

技术介绍

[0002]厚膜电阻浆料是一种集冶金、化学、材料、电子技术、分析测试技术等多学科领域于一身的技术密集型产品。为适应印刷、烧结工艺要求和实际应用要求，电阻浆料必须具备可印刷性、功能特性和工艺兼容性。常用的电阻浆料是由功能相、粘结相、添加剂与有机载体按一定比例混合而成的一种膏状物。
[0003]厚膜电阻浆料作为生产厚膜集成电路和片式电阻器的原材料，要求浆料具有0.1Ω～10MΩ较宽的阻值范围，能满足集成电路和片式电阻器产品在各种印刷图形以及产品尺寸下对阻值的需求。
[0004]电阻的电阻值与电阻材料的电阻率、电阻的长度成正比，与电阻的截面积成反比。一般认为电阻材料的电阻率不随电阻的尺寸变化发生变化，则当电阻的厚度一定、且长度与宽度的比值保持不变时，电阻的电阻值应保持不变。但对于厚膜电阻，存在电阻的电阻值随尺寸变化而变化的现象，这被称作厚膜电阻的尺寸效应（又称图形效应）。
[0005]现有的厚膜电阻浆料存在较高的尺寸效应，应用于集成电路会出现印刷不同图形后电阻的阻值出现较大偏差的问题，给集成电路设计过程造成麻烦；应用于片式电阻器中，不同规格的电阻器阻值差别大，片式电阻器厂家需要针对不同规格的阻值器，选择调整电阻浆料，造成生产管理不便。
[0006]因此，需要一种能够保证厚膜集成电路和片式电阻器产品性能要求，并具有低尺寸效应特性的厚膜电阻浆料。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术提供适用于厚膜集成电路和片式电阻器产品性能要求，并具有低尺寸效应特性的厚膜电阻浆料。本专利技术的低尺寸效应厚膜电阻浆料具有阻值范围宽、温度系数易控制的优点，满足厚膜集成电路和片式电阻器产品性能要求，并且具有低尺寸效应的特点，可同时应用于不同印刷图形的厚膜集成电路和不同尺寸规格的片式电阻器产品。
[0008]具体而言，本专利技术提供一种厚膜电阻浆料，所述厚膜电阻浆料包含功能材料、玻璃粉、轻烧莫来石、白云石、有机载体和任选的添加剂；以厚膜电阻浆料的总质量计，所述厚膜电阻浆料中，功能材料的含量为15wt%
‑
45wt%，玻璃粉的含量为10wt%
‑
40wt%，轻烧莫来石和白云石的总含量为5wt%
‑
15wt%，有机载体的含量为30wt%
‑
45wt%，添加剂的含量为0
‑
5wt%。
[0009]在一个或多个实施方案中，所述厚膜电阻浆料中，轻烧莫来石和白云石的质量比为2：1到1：2，优选为2：1到1：1。
[0010]在一个或多个实施方案中，所述功能材料包括选自银粉、钯粉、二氧化钌和钌酸铅中的一种或多种。
[0011]在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉包括Pb
‑
B
‑
Ca
‑
Si体系玻璃粉和Pb
‑
B
‑
Si体系玻璃粉，所述Pb
‑
B
‑
Ca
‑
Si体系玻璃粉和所述Pb
‑
B
‑
Si体系玻璃粉的质量比优选为1：4到4：1，例如1：4到2：1、8：27到11：6。
[0012]在一个或多个实施方案中，所述添加剂包括选自铜单质、含铜化合物、锰单质、含锰化合物、钽单质、含钽化合物、Nb2O5和Sb2O3中的一种或多种。
[0013]在一个或多个实施方案中，所述添加剂包括CuO和MnO2。
[0014]在一个或多个实施方案中，以厚膜电阻浆料的总质量计，所述厚膜电阻浆料中，添加剂的含量为1wt%
‑
5wt%。
[0015]在一个或多个实施方案中，所述玻璃粉的粒度为1μm
‑
2μm。
[0016]在一个或多个实施方案中，所述轻烧莫来石和所述白云石的粒度为0.8μm
‑
1.3μm。
[0017]在一个或多个实施方案中，所述有机载体包含树脂、有机添加剂和有机溶剂，以有机载体的总质量计，所述有机载体中，树脂的含量为8wt%
‑
15wt%，有机添加剂的含量为1wt%
‑
5wt%，有机溶剂的含量为80wt%
‑
90wt%。
[0018]在一个或多个实施方案中，所述添加剂的粒度为1μm
‑
2μm。
[0019]在一个或多个实施方案中，所述树脂包括选自松香树脂、乙基纤维素、羟基纤维素和甲基纤维素中的一种或多种。
[0020]在一个或多个实施方案中，所述有机添加剂包括卵磷脂。
[0021]在一个或多个实施方案中，所述有机溶剂包括选自酯类溶剂、醇类溶剂和醚类溶剂中的一种或多种。
[0022]本专利技术还提供一种片式电阻器，所述片式电阻器采用本文任一实施方案所述的厚膜电阻浆料制备得到。
[0023]本专利技术还提供一种电路板，所述电路板包含基板和形成在所述基板上的厚膜电阻，所述厚膜电阻采用本文任一实施方案所述的厚膜电阻浆料制备得到。
[0024]本专利技术还提供轻烧莫来石和白云石在降低片式电阻器或厚膜电阻的尺寸效应中的用途。
具体实施方式
[0025]为使本领域技术人员可了解本专利技术的特点及效果，以下谨就说明书及权利要求书中提及的术语及用语进行一般性的说明及定义。除非另有指明，否则文中使用的所有技术及科学上的字词，均为本领域技术人员对于本专利技术所了解的通常意义，当有冲突情形时，应以本说明书的定义为准。
[0026]本文描述和公开的理论或机制，无论是对或错，均不应以任何方式限制本专利技术的范围，即本
技术实现思路
可以在不为任何特定的理论或机制所限制的情况下实施。
[0027]本文中，为使描述简洁，未对各个实施方案或实施例中的各个技术特征的所有可能的组合都进行描述。因此，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，各个实施方案或实施例中的各个技术特征可以进行任意的组合，所有可能的组合都应当认为是本说明书记载的范围。
[0028]本文中，所有以数值范围或百分比范围形式界定的特征如数值、数量、含量与浓度仅是为了简洁及方便。据此，数值范围或百分比范围的描述应视为已涵盖且具体公开所有
可能的次级范围及范围内的个别数值（包括整数与分数）。
[0029]本文中，组合物的所有组分的百分含量之和等于100%。
[0030]本文中，若无特别说明，“包含”、“包括”、“含有”及类似用语涵盖了“基本上由
……
组成”和“由
……
组成”的意思，即“A包含a”涵盖了“A包含a和其他”、“A基本上由a组成”和“A由a组成”的意思。本文中，若无特别说明，“基本上由
……
组成”可以理解为“80%以上、优选90%以上、更优选95%以上由
……
组成”。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，所述厚膜电阻浆料包含功能材料、玻璃粉、轻烧莫来石、白云石、有机载体和任选的添加剂；以厚膜电阻浆料的总质量计，所述厚膜电阻浆料中，功能材料的含量为15wt%
‑
45wt%，玻璃粉的含量为10wt%
‑
40wt%，轻烧莫来石和白云石的总含量为5wt%
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15wt%，有机载体的含量为30wt%
‑
45wt%，添加剂的含量为0
‑
5wt%。2.如权利要求1所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述功能材料包括选自银粉、钯粉、二氧化钌和钌酸铅中的一种或多种。3.如权利要求1所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述玻璃粉包括Pb
‑
B
‑
Ca
‑
Si体系玻璃粉和Pb
‑
B
‑
Si体系玻璃粉。4.如权利要求1所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述添加剂包括选自铜单质、含铜化合物、锰单质、含锰化合物、钽单质、含钽化合物、Nb2O5和Sb2O3中的一种或多种。5.如权利要求4所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述添加剂包括CuO和MnO2；和/或以厚膜电阻浆料的总质量计，所述厚膜电阻浆料中，添加剂的含量为1wt%
‑
5...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹿宁，赵科良，吴高鹏，殷美，党丽萍，王妮，孙社稷，何依青，
申请(专利权)人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：