【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于ltcc材料，具体涉及一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带及其制备方法。
技术介绍
1、ltcc技术，即low te2perature cofired cera2ic，低温共烧陶瓷技术。由ltcc技术制备的多层电路基板，可以由含有分散在粘结剂-增塑剂-溶剂溶液中的微晶玻璃材料制备，通过在本领域熟知的流延技术形成柔性的生瓷带。在生瓷上打孔，填孔导体浆料，印刷导体浆料，叠层，等静压，切割，烧结后形成多层电路基板。
2、在cn 114315334 b专利中，提供了一种低温共烧陶瓷材料，主要成分由氧化物、氧化物添加剂和碱金属碳酸盐组成，形成了单纯体系玻璃，是一种经典的玻璃陶瓷，在生坯状态下均为玻璃相，在850℃成瓷后主要组分转化为结晶相。通过控制氧化物添加剂的种类及比例，可以控制其与金银共烧的匹配。同时将制备出的ltcc材料分别与金导体浆料和银导体浆料共烧，形成的纯金基板和纯银基板匹配度良好，两个基板均无翘曲。
3、但是目前ltcc材料制备的纯金基板成本太高，制备的纯银基板无法满足各种应用场景要求，金银混合系基板成为一种折中的选择。但是金系、银系等导体材料共烧，对于承载各种导体材料的ltcc材料就提出了更高的要求，国内尚未在这一块有研究。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带及其制备方法，以满足电子器件及ltcc基板的成本与可靠度兼顾的要求。
2、为达到上述目的，本专
3、一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带，以质量分数计，原料包括50％-70％的h微晶玻璃和30％-50％的l微晶玻璃；
4、以质量分数计，所述h微晶玻璃的原料组成为35％-55％cao、5-15％b2o3、40-50％sio2和0.5～2％的碱金属碳酸盐；所述l微晶玻璃的原料组成为30％-45％cao、30-40％b2o3、20-30％sio2和0.5-2％氧化物添加剂。
5、本专利技术的进一步改进在于：
6、优选的，所述碱金属碳酸盐包括na2co3、k2co3和li2co3中的任意两种或三种。
7、优选的，所述氧化物添加剂由tio2、zro2、al2o3、mgo和p2o5中的任意m种组成，m≥2。
8、优选的，所述ltcc生瓷带的介电常数为5.5-5.9，介质损耗小于0.002。
9、一种上述适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带的制备方法，包括以下步骤：
10、步骤1，分别熔炼制备的h玻璃粉和l玻璃粉；
11、步骤2，将h玻璃粉和l玻璃粉混合，球磨后获得玻璃陶瓷粉料；
12、步骤3，将混合玻璃粉料、溶剂、粘结剂、增塑剂和分散剂球磨混合后，真空脱泡，获得流延浆料，通过流延浆料制备获得ltcc生瓷带。
13、优选的，将cao、b2o3、sio2以及碱金属碳酸盐混合后熔炼，在水中淬冷获得玻璃碎片，将玻璃碎片球磨后获得玻璃浆料，将玻璃浆料过筛、烘干，获得h玻璃粉。
14、优选的，熔炼温度为1450-1550℃，熔炼时间为1-3h。
15、优选的，将cao、b2o3、sio2以及氧化物添加剂混合后熔炼，在水中淬冷获得玻璃碎片，将玻璃碎片球磨后获得玻璃浆料，将玻璃浆料过筛、烘干，获得l玻璃粉。
16、优选的，熔炼温度为1350-1450℃，熔炼时间1-3h。
17、优选的，步骤4制备出的ltcc生瓷片通过加压、烧结后生成ltcc材料；
18、其中烧结分为两个阶段：第一次烧结过程为从室温以2℃/2i2的速率升温至450℃，保温2h；第二次烧结过程为以5℃/2i2的速率升温至850～900℃，保温10～152i2。
19、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
20、本专利技术公开了一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带，其中微晶玻璃成分为h、l玻璃。h微晶玻璃由重量比为35％-55％cao，5-15％b2o3，40-50％sio2组成，以及0.5～2％的碱金属碳酸盐2。l微晶玻璃重量比为30％-45％cao，30-40％b2o3，20-30％sio2组成，以及0.5-2％氧化添加剂组成。该双玻璃系统烧结过程如下，第一步，烧结时，l玻璃先软化，烧结收缩，此时主要的h玻璃会形成骨架，这是收缩曲线的初始阶段；第二步，h玻璃软化后，整个玻璃系统会迅速的烧结收缩，此阶段收缩最快。第三步，h玻璃进入析晶过程，此时l玻璃还会促进烧结，这是收缩的末期。第四步，l玻璃析晶，此时尺寸基本不变化，也无收缩。通过h玻璃和l玻璃配方的调整，可以得到平稳的收缩曲线。该双玻璃系统适用于混合系导体材料、低介电常数、低温共烧的微晶玻璃，特别适用于制造多层集成电路、厚膜混合电路等电子元件。
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1.一种适用于混合系导体材料的LTCC生瓷带，其特征在于，以质量分数计，原料包括50％-70％的H微晶玻璃和30％-50％的L微晶玻璃；
2.根据权利要求1所述的一种适用于混合系导体材料的LTCC生瓷带，其特征在于，所述碱金属碳酸盐包括Na2CO3、K2CO3和Li2CO3中的任意两种或三种。
3.根据权利要求1所述的一种适用于混合系导体材料的LTCC生瓷带，其特征在于，所述氧化物添加剂由TiO2、ZrO2、Al2O3、MgO和P2O5中的任意M种组成，M≥2。
4.根据权利要求1所述的一种适用于混合系导体材料的LTCC生瓷带，其特征在于，所述LTCC生瓷带的介电常数为5.5-5.9，介质损耗小于0.002。
5.一种权利要求1所述适用于混合系导体材料的LTCC生瓷带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，H玻璃粉的制备过程为，将CaO、B2O3、SiO2以及碱金属碳酸盐混合后熔炼，在水中淬冷获得玻璃碎片，将玻璃碎片球磨后获得玻璃浆料，将玻璃浆料过筛、烘干，获得H玻
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，熔炼温度为1450-1550℃，熔炼时间为1-3h。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，H玻璃粉的制备过程为，将CaO、B2O3、SiO2以及氧化物添加剂混合后熔炼，在水中淬冷获得玻璃碎片，将玻璃碎片球磨后获得玻璃浆料，将玻璃浆料过筛、烘干，获得L玻璃粉。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，L玻璃粉的制备过程为，熔炼温度为1350-1450℃，熔炼时间1-3h。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤4制备出的LTCC生瓷片通过加压、烧结后生成LTCC材料；
...【技术特征摘要】
1.一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带，其特征在于，以质量分数计，原料包括50％-70％的h微晶玻璃和30％-50％的l微晶玻璃；
2.根据权利要求1所述的一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带，其特征在于，所述碱金属碳酸盐包括na2co3、k2co3和li2co3中的任意两种或三种。
3.根据权利要求1所述的一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带，其特征在于，所述氧化物添加剂由tio2、zro2、al2o3、mgo和p2o5中的任意m种组成，m≥2。
4.根据权利要求1所述的一种适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带，其特征在于，所述ltcc生瓷带的介电常数为5.5-5.9，介质损耗小于0.002。
5.一种权利要求1所述适用于混合系导体材料的ltcc生瓷带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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