光学信息记录介质及其制造方法技术

本发明专利技术的光学信息记录介质中包含的记录层１４，含有低氧化物Ｔｅ－Ｏ－Ｍ（Ｍ是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素）或低氧化物Ａ－Ｏ（Ａ是从Ｓｂ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｍｏ以及Ｗ之中选择的至少一种元素）与材料Ｘ（Ｘ是从氟化物、碳化物、氮化物以及氧化物之中选择的至少一种化合物）的混合物。其中所谓低氧化物，是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用激光束照射等光学手段可高速度、高密度地使信息记录和再现的。
技术介绍
众所周知，作为可大容量、高速度地使信息记录和再现(也称为再生、重放；reproduction)的介质，有光磁记录介质和相变形记录介质等的光学信息记录介质(也称为媒介或媒体)。这些光学信息记录介质通过激光束对记录材料的局部照射产生的记录材料的光学特性的差异作为记录标记(mark)而利用。这些光学信息记录介质根据需要其随机存取是可能的，并且具有可移动性良好的这一很大的优点，因此近年来其重要性越来越提高。例如通过计算机的个人数据和影象信息等的记录、保存、以及医疗领域、学术领域或家庭用磁带录像机转换等各种领域的需求不断增长。现在，对于这些光学信息记录介质，伴随应用的高性能化和图像信息的高性能化，进而要求实现大容量化、高密度化以及高速化。作为从前提出的光学信息记录介质的种类，可以列举出可能多次的重写型记录介质、以及可能一次写入的所谓一次写入型记录介质。一次写入型记录介质与重写型记录介质相比较，多数情况下能够作得层数少一些，因此制造容易且低成本化是可能的。而且，一次写入型记录介质由于不能重写，因此能够写入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学信息记录介质，其含有记录层，其中通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现，其特征在于：所述记录层含有低氧化物Ｔｅ－Ｏ－Ｍ与材料Ｘ的混合物，其中Ｍ是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素，Ｘ是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Ｔｅ氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物，其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-13 170050/20031.一种光学信息记录介质，其含有记录层，其中通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现，其特征在于所述记录层含有低氧化物Te-O-M与材料X的混合物，其中M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素，X是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Te氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物，其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。2.根据权利要求1记载的光学信息记录介质，其中，在所述Te-O-M中所述M的原子浓度为x原子％、所述Te的原子浓度为y原子％的场合，所述x以及所述y满足0.05y≤x≤y的关系。3.根据权利要求1记载的光学信息记录介质，其中，所述M是从Pd、Au、Pt、Ag、Cu、Sb、Bi、Ge以及Sn之中选择的至少一种元素。4.根据权利要求1记载的光学信息记录介质，其中，所述记录层含有至少包含所述Te-O-M的第1膜以及至少包含所述材料X的第2膜。5.一种光学信息记录介质，其含有记录层，其中通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现，其特征在于所述记录层含有低氧化物A-O与材料X的混合物，其中A是从Sb、Sn、In、Zn、Mo以及W之中选择的至少一种元素，X是从氟化物、碳化物、氮化物以及氧化物之中选择的至少一种化合物，其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。6.根据权利要求1或5记载的光学信息记录介质，其中，所述混合物中含有的材料X为30摩尔％或以下。7.根据权利要求1或5记载的光学信息记录介质，其中，所述材料X含有从La-F、Mg-F、Ca-F、稀土元素的氟化物、Si-O、Cr-O、Ge-O、Hf-O、Mo-O、Ti-O、W-O、Zn-O以及Zr-O之中选择的至少一种。8.根据权利要求1或5记载的光学信息记录介质，其含有多层信息层，其中所述多层信息层之中的至少一层含有所述记录层。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇野真由美，儿岛理惠，山田升，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]