公开了一种用于垂直的磁记录介质的基板，以及使用这种基板的垂直的磁记录介质。通过将基板的倾角或与此角相关的基板形状相关的参数设置在适当的范围内，不管最终的基板加工方法如何，磁记录介质都能获得极好的读取信号质量和信号质量稳定性。在包括主表面、沿该主表面的内侧延伸的内圆周表面、以及沿该主表面的外侧延伸的外圆周表面的环形的磁记录介质的基板中，当该主表面的形状由ｘ－ｙ坐标的函数Ｚ（ｘ，ｙ）定义时，定义为均方根倾斜（ｓΔｑ）的反正切（ｔａｎ↑［－１］（ｓΔｑ））的均方根倾角（θｓΔｑ）是５°或更小，该均方根倾斜（ｓΔｑ）是该主表面的微区域表面倾斜（Δρ）的整个主表面上的均方根，由以上方程１表示。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及安装在作为计算机或家用电器的外部存储设备的固定磁记 录设备(硬盘设备)中的垂直的磁记录介质的基板。更具体地，本专利技术的 垂直的磁记录介质的基板是能使垂直的磁记录介质具有优良的性能和质量 的垂直的磁记录介质基板。本专利技术还涉及使用这种基板的垂直的磁记录介 质。B. 相关技术描述即使当成本降低时也向显著较高的记录密度发展的磁盘设备作为计算 机的外部存储器设备担当着重要角色，且近年也已开始被安装在其他数字 家用电器上。另外，磁盘设备正变得更小，且正开始被便携式音乐放音设 备及其他产品采用。其中磁记录层的易磁化轴被取向成与磁盘设备的磁记录介质内的基板 表面平行的纵向记录方法，已经在现有技术中被采用。近年来，为了获得 更高的记录密度，其中磁记录层的易磁化轴被取向成与基板表面垂直的垂 直记录方法已经被采用。在此垂直的记录方法中，在相邻区域内的磁化被 排列在与记录平面垂直的方向，使得即使在高记录密度下磁化在反向磁化 区域内是稳定的，且可实现极好的热起伏特性和噪声特性。在垂直的磁记录介质中，通常将软磁材料的背衬层放置在基板和磁记4录层之间。在垂直的磁记录介质中，信息写入是通过将来自单个磁极头的 漏磁通垂直地传输通过基板平面来实现。在这种垂直的磁记录介质中，读取信号的质量取决于磁记录层内的易 磁化轴的垂直取向。当此垂直取向差时，来自磁记录层的漏磁通量相对于 基板平面倾斜，使得介质噪声被增大且S/N特性衰退。指示磁记录介质内的感兴趣层(例如，磁记录层)的晶面倾斜分布的取向分散角(orientation dispersion angle)(Ae50)是指示易磁化轴的垂直 取向的指数。此取向分散角(Ae50)被定义为在针对目标层内的具体取向平面 的X射线衍射中获得的摇摆曲线的峰值半最大值宽度(peak half-maximum width),且与由水平面和具体的取向平面形成的角的分布中心相对应。为了 改进S/N特性，必须减小磁记录层的取向分散角(A650)。磁记录层的取向分散角(Ae50)取决于直接位于磁记录介质内的磁记录 层下面的取向控制层的取向分散角(Ae50)。更进一步地，取向控制层的取向 分散角(Ae50)取决于位于取向控制层下面的基板的表面形状。近年来，通过 作为与基板形状相关的一个参数的基板表面粗糙度(Ra)来控制取向控制层 的取向分散角(Ae50)的各方法已经被公开，该取向控制层的取向分散角 (Ae50)影响磁记录层的取向分散角(Ae50)。在日本专利申请特开No. 2006-286029 (对应于美国专利No. 2006 222908和中国专利No. CN1841513A)中，公开了一种垂直的磁盘设备， 该垂直的磁盘设备包括垂直的磁记录介质，它具有其表面粗糙度(Ra)是 0.35nm或更小的非磁性基板、软磁层、其垂直取向(Ae50)是4。或更小的中 间的非磁性层、以及由表现出垂直的各向异性的磁性材料形成的垂直的记 录层；以及磁头，它具有带主磁极、旁轭、激励线圈的写入磁头、以及磁 阻效应读出磁头；在此设备中，磁头的飞行高度f和垂直的磁记录介质表 面的平均粗糙度(Ra)满足关系f 〉 0.61 Ra2 - 3.7Ra + 5.9。在日本专利申请公开No. 2007-26536 (对应于国际专利申请No. W02007/010908A1)中，公开了一种磁记录介质，其中至少设置软磁材料 的软磁背衬层、控制紧接其上的膜的取向的取向控制膜、其易磁化轴被取 向为主要垂直于基板的垂直磁性膜、以及保护膜，并且其中软磁背衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)是1或更小，且此外取向分散角(A05O)介于1° 到6°。在Influence of Substrate Surface Shape at C-axis Distribution in Perpendicular Media(在垂直介质中基板表面形状对C轴分布的影响)， Masaru Ono等人，山形富士通有限公司，第31届年会文摘，Magn. Soc. Jpn. (2007)，第264页中，其中实验被公布，在使用直流磁控溅射以在其上已 采用氧化物研磨剂和金刚石研磨剂的基板上依次形成铁钴合金软磁背衬 层，钌中间层、以及钴铬铂合金磁性层之后，使用CVD(化学气相沉积)以 形成碳保护层，采用AFM以测量在1 x 1 pm范围内的基板表面形状， 通过使用X射线衍射(XRD)的摇摆曲线方法来评价晶向，并且使用130吉 伯/平方英寸(Gb/in2)等价的垂直TuMR写磁头来评价读/写特性。根据这些 实验结果，据公布，在各种基板间在计算出的基板表面的平均粗糙度Ra和 作为中间层的钌的晶面的晶向分散A650之间的相关性方面存在背离。 更进一步地，关于通过计算并平均基板上不同位置处的斜率而获得的倾角 斜率以及钌的晶向分散，报导了在倾角斜率和晶向分散Ae50之间观察到了 好的相关性而不管是哪种磨料，且钌中间层的晶向受到从基板表面的水平 面的倾斜的极大影响。因而，已经有许多依靠基板表面粗糙度(Ra)来控制取向控制层的取向分 散角(Ae50)的技术的公开文献。然而，如由Influence of Substrate Surface Shape at C-axis Distribution in Perpendicular Media(在垂直介质中基板表面 形状对C轴分布的影响)，Masaru Ono等人，山形富士通有限公司，第31 届年会文摘，Magn. Soc. Jpn. (2007)，第264页以及以下实施例部分中证 实的，已经阐明基板表面粗糙度(Ra)和磁记录层的取向控制层的取向分散角 (Ae50)之间的关系随用于基板表面的最终加工方法而不同。例如，如以下实 施例部分所述，已澄清即使对于相同的表面粗糙度(Ra)，对于使用带有附连 泡沫尿烷抛光垫和硅胶磨液的双面抛光机的基板的精抛光的情况，以及对 于使用氢氟酸蚀刻基板的情况，磁记录层的取向分散角(Ae50)不同。因此， 基板表面粗糙度(Ra)不能被认作是能对取向控制层或磁记录层的取向分散 角(Ae50)进行完全控制的基板形状的参数。of Substrate Surface Shape at C-axis Distribution in Perpendicular Media(在垂直介质中基板表面形状对C轴分布的影响)， Masaru Ono等人，山形富士通有限公司，第31届年会文摘，Magn. Soc. Jpn. (2007)，第264页中所公开的，不管哪种抛光材料，通过平均在基板不同 位置处算得的倾斜所获得的倾角与取向控制层(在日本专利申请公开No. 2006-286029中,为中间层)的晶向分散Ae50之间有好的相关性。因此，为了 不管用在基板上的最终加工方法如何都改进取向控制层和磁记录层的取向 分散角(Ae50)，存在开发对此倾角或对与此倾角有关的基板形状相关的参数 设置适当范围的技术的必要。本专利技术涉及克服或至少减小以上阐明的问题中的一个或多个的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于垂直的磁记录介质的基板，该垂直的磁 记录介质通过对基板的倾角或对与此角相关的基板形状相关的参数设置适 当的范围，不管用在基板上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于环形的垂直的磁记录介质的基板，包括：主表面、沿所述主表面的内侧延伸的内圆周表面、以及沿所述主表面的外侧延伸的外圆周表面，其中当所述主表面的形状由ｘ－ｙ坐标的函数Ｚ（ｘ，ｙ）定义时，定义为均方根倾斜（ｓΔｑ）的反正切（ｔａｎ↑［－１］（ｓΔｑ））的均方根倾角（θｓΔｑ）是５°或更小，所述均方根倾斜（ｓΔｑ）是所述主表面的微区域表面倾斜（Δρ）的整个主表面上的均方根，由以下方程表示 方程１ Δρ＝［（＊ｚ（ｘ，ｙ）／＊ｘ）↑［２］＋（＊ｚ（ｘ，ｙ）／＊ｙ）↑［ ２］］↑［１／２］。
【技术特征摘要】
JP 2007-12-7 2007-3172861. 一种用于环形的垂直的磁记录介质的基板，包括主表面、沿所述主表面的内侧延伸的内圆周表面、以及沿所述主表面的外侧延伸的外圆周表面，其中当所述主表面的形状由x-y坐标的函数Z(x，y)定义时，定义为均方根倾斜(sΔq)的反正切(tan-1(sΔq))的均方根倾角(θsΔq)是5°或更小，所述均方根倾斜(sΔq)是所述主表面的微区域表面倾斜(Δρ)的整个主表面上的均方根，由以下方程表示方程12. 如权利要求1所述的用于垂直的磁记录介质的基板，其特征在于，所 述均方根倾角(9sAq)为3。或更小。3. 如权利要求1所述的用于垂直的磁记录介质的基板，其特征在于，当 所述垂直磁记录介质中构成所述基板上形成的垂直记录层的磁性晶粒的平均 粒径为D，且所述磁性晶粒之间的平均间隔为5时，并且当在所述基板的横截 面视图内，表面形状被视作正弦...
【专利技术属性】
技术研发人员：皆泽宏，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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