【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种用于磁记录介质的玻璃基底，具有位于所述基底的表面（数据面）和所述基底的外周端面（直面）之间的斜（斜切）面，所述基底的表面在其上形成有包括磁性层的薄膜，其中所述外周斜面在径向上具有１２０＊或更小的突起值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：羽根田和幸，会田克昭，町田裕之，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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