热辅助磁头及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种热辅助磁头，其特征在于，如果向第１及第２近场光发生部照射激光等能量线，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用发生的近场光，加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽力降低。由于主磁极的至少一部分位于包含第１及第２近场光发生部之间的区域的光斑区域内，因此，两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近，可以进行高密度的记录。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以进行高密度记录的。
技术介绍
伴随着硬盘装置的高记录密度化，要求薄膜磁头的性能进一步提高。作为薄膜磁头，将磁阻(MR: Magneto Resistive)效应元件等的 磁检测元件和电磁线圈元件等的磁记录元件层叠的结构，即复合型薄 膜磁头被广泛地应用，利用这些元件，在磁记录介质即磁盘上读写数 据信号。一般而言，磁性记录介质是所谓的磁性微粒集合而成的不连续体， 各个磁性微粒成为单磁畴结构。在此， 一个记录位(record bits)由多 个磁性微粒构成。所以，为了提高记录密度，必须使磁性微粒变小， 减少记录位的边界的凹凸。然而，如果磁性微粒变小，则伴随着体积 的减小，产生磁化的热稳定性降低的问题。磁化的热稳定性的基准由KuV/kBT给出。在此，Ku是磁性微粒的 磁各向异性能、V是1个磁性微粒的体积、kB是波尔茨曼常数 (Boltzmann constant)、 T是绝对温度。使磁性微粒变小意味着使V变 小，在这种状态下KuV/kBT变小，有损于热稳定性。作为针对该问题 的对策，考虑同时增大Ku的方法，然而，Ku的增加会导致磁性记录 介质的矫顽力的增加。相对于此，由磁头进行的写入磁场强度大致由 构成磁头内的磁极的软磁性材料的饱和磁通量密度决定。所以，当矫 顽力超出由该写入磁场强度的界限所决定的许可值时，就不能进行写 入。作为解决如此的磁化的热稳定性的问题的方法，有人提出所谓的 热辅助磁记录方式，其在使用Ku大的磁性材料的同时，通过在即将施 加写入磁场之前加热磁记录介质，从而减小矫顽力，进行写入。这种 方式大致可分为磁优先记录方式和光优先记录方式。在磁优先记录方3式中，写入主体为电磁线圈元件，光的放射径比磁道宽度(trackwidth)(记录宽度)大。另一方面，在光优先记录方式中，写入主体为光放 射部，光的放射径与磁道宽度(记录宽度)大致相同。即，磁优先记 录方式使磁场具有空间分解能，而光优先记录方式使光具有空间分解 能。下述专利文献l (特开平10-162444号公报)公开了，利用使用固 体浸没透镜的磁头，在光磁盘中利用超微细的光束光斑记录超微细的 磁畴信号的技术。非专利文献1 (Miyanishi, S. et al. Near-field assisted magnetic recording, IEEE Transactions on Magnetics, 2005， Vol.41， pp.2817-2821)中公开了，使用在水晶的滑块上形成的U字型近场探针 来发生近场光(evanescent light)和磁场，形成70nm左右的记录图案 的技术。专利文献2 (特开2001-255254号公报)、专利文献3 (特开 2003-114184号公报)以及专利文献4 (特开2006-185548号公报)中 公开了一种热辅助磁头，其在介质相对面上配置导电性的板状近场光 发生部，通过对该近场光发生部从与介质侧相反的一侧照射光来产生 近场光。在近场光发生部的一端形成有尖的前端部，近场光主要从该 前端部放射。专利文献5 (特开2004-158067号公报)公开了如下技术构成近 场探针的散射体被形成为，以与记录介质垂直的方式，与垂直磁记录 用单磁极写入磁头的主磁极相接。该现有技术中，近场光的发生元件 和垂直磁记录用单磁极写入磁头的主磁极之间的距离在线记录方向上 间隔。与此同时，呈主磁极位于比近场光发生元件更靠近基板一侧的 位置的结构(光照射部位于磁极的尾侧)。在此情况下，采用现有技术 中的硬盘驱动中的盘回转方向，在加热介质后，加热部在盘上回转约1 周后，施加磁场。这种方法是不显著恶化介质的冷却效率就不能实现 的使用方法，如果考虑到写入速度，则是不现实的构造。而且，在专 利文献5的构造中，可以施加的磁场的大小不是很充分，特别是非专 禾(J文献2 (Jan國Ulrich Thiele et al, Magnetic and structural properties of FePt/FeRh exchange spring films for thermally assisted magnetic recording media, IEEE Transactions on Magnetics, 2004， Vol.40, No.4,pp.2537-2542)中的具有2阶段矫顽力的温度特性的记录介质难以适用 这样的磁头。专利文献6 (特开2005-4901号公报)中，在记录磁极的尾侧终端 附近设置有光照射部。在该技术中，通过改良记录磁场梯度等可以向 加热部施加磁场，但是，它的设计余量并不大，难以实现。在近场光发生元件位于比主磁极更靠近基板一侧的位置的情况 下，优选在介质被加热后赋予来自磁极的记录磁场，但是，如果2个 元件隔开距离过大，则加热的效果就会消失。而且，为了采用近场光 发生元件位于比主磁极更靠近基板一侧的位置的构造，光通道即光波 导路也有必要设置在垂直磁记录用单磁极写入磁头的下侧(基板侧)。 这样的构造在例如专利文献7 (特开2005-190655号公报)中已被公开。专利文献8 (特开2006-18554号公报)中公开了在垂直磁记录用 单磁极写入磁头的主磁极中埋入光波导路的技术，但是，在记录密度 为lTbitS/in2i20nm以下的磁极宽度中形成这样的光元件是非常困难 的，并且考虑到光利用效率也不优选。
技术实现思路
如上所述，已知多种技术，但是，没有得到在现实中可以进行高 密度记录的热辅助磁头。因此，如果考虑到向近场光发生部(等离子 体，探针)照射激光的构造，则优选考虑在激光传播的光波导路的芯 的前端面设置近场光发生部。光波导路通过折射率高的区域(芯)被 比它的折射率低的区域(包层)包围来形成。在此，为了具有作为光 波导路的功能，有必要将这些区域的各自的厚度设计为与所使用的光 的波长相同的程度或在其以上。因此，在高密度光记录中所使用的例如蓝色激光作为光源使用的 情况下，芯以及包层的厚度要求为400nm左右或其以上，在此情况下， 近场光发生部和主磁极的间隔较大，存在对被加热的介质区域不能有 效地赋予磁场的问题。本专利技术是鉴于这些课题而完成的，其目的在于提供可以进行高密 度记录的。为了解决上述课题，本专利技术所涉及的热辅助磁头具备在介质相对面上间隔地配置的第1及第2近场光发生部；和至少其一部分位于 第1及第2近场光发生部之间的主磁极。这样的热辅助磁头中，如果向第1及第2近场光发生部照射激光 等能量线LB，则在两个近场光发生部的前端发生近场光。利用所发生 的近场光加热与介质相对面相对的磁记录介质，使磁记录介质的矫顽 力降低。由于主磁极的至少一部分位于第1及第2近场光发生部之间 的区域内，因而两个近场光发生部的前端和主磁极非常接近。即，被 加热的磁记录介质的记录区域非常接近于主磁极。因此，在被加热的 状态下的记录区域冷却前，可以从主磁极赋予足够的磁场，所以，即 使记录区域内的磁性微粒小，也可以进行信息的写入，可以进行高密 度的记录。而且，本专利技术所涉及的热辅助磁头的特征为在第1近场光发生 部和第2近场光发生部之间的区域内，还具备照射激光等能量线的发 光元件。S卩，通过照射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热辅助磁头，其特征在于，　具备：　在介质相对面上间隔地配置的第１及第２近场光发生部；和　至少其一部分位于所述第１及第２近场光发生部之间的主磁极。

【技术特征摘要】
JP 2007-12-28 2007-3411031. 一种热辅助磁头，其特征在于，具备在介质相对面上间隔地配置的第1及第2近场光发生部；和至少其一部分位于所述第1及第2近场光发生部之间的主磁极。2. 根据权利要求1所述的热辅助磁头，其特征在于， 在所述第1近场光发生部及所述第2近场光发生部之间的区域，还具备照射能量线的发光元件。3. 根据权利要求1所述的热辅助磁头，其特征在于，具备在其前端面设置有所述第1及第2近场光发生部的芯；和 设置在所述芯周围的包层，所述主磁极设置在最深部...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛泽幸司，高山清市，田中浩介，小村英嗣，羽立等，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]