图像传感器装置制造方法及图纸

公开了能够减小芯片尺寸和功耗的图像传感器装置。图像传感器装置包括：基板，其设置有被布置为彼此面对的第一表面和第二表面；焊盘，其设置在基板的第一表面；线层，其设置在基板的第二表面下方；第一硅通孔(TSV)，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的一侧；第二TSV，其形成为贯穿基板和线层，并设置在焊盘的另一侧，以及电源开关，其设置在第一TSV和第二TSV之间。TSV之间。TSV之间。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器装置


[0001]本专利文档中公开的技术和实现总体上涉及图像传感器装置，并且更具体地涉及用于减小芯片尺寸和功耗的技术。

技术介绍

[0002]图像传感器将光学图像转换为电信号。近年来，随着计算机工业和通信工业的不断发展，在例如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医疗微型相机等的各个领域中，对高质量和高性能图像传感器的需求正在迅速增长。
[0003]具体地，金属氧化物半导体(MOS)图像传感器可以更容易驱动，并且可以使用各种扫描方案来实现。MOS图像传感器可以包括被配置为感测入射光的幅度的一个或更多个光电转换元件以及被配置为输出光电转换元件中存储的光信号的多层金属线层。然而，入射光可能被金属线层反射，并且可能被层间绝缘膜吸收，导致灵敏度降低。另外，反射光可能被吸收到邻近(或相邻)的像素中，导致串扰的发生。
[0004]因此，已经提出了一种改进的结构，该结构抛光基板的背侧并接收从基板的背侧入射的光。改进的结构可以被称为背照式(BSI)图像传感器。由于在BSI图像传感器中入射光的背侧上方未形成金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器装置，该图像传感器装置包括：基板，所述基板包括被布置为彼此面对的第一表面和第二表面；焊盘，所述焊盘设置在所述基板的所述第一表面；线层，所述线层设置在所述基板的所述第二表面下方；第一硅通孔TSV，该第一TSV形成为贯穿所述基板和所述线层，并设置在所述焊盘的一侧；第二TSV，所述第二TSV形成为贯穿所述基板和所述线层，并设置在所述焊盘的另一侧；以及电源开关，所述电源开关设置在所述第一TSV和所述第二TSV之间。2.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述第一TSV和所述第二TSV设置于在垂直于所述焊盘的方向上与所述焊盘不交叠的区域中。3.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述电源开关形成于所述基板的所述第二表面。4.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述电源开关设置于在垂直于所述焊盘的方向上与所述焊盘交叠的区域中。5.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述电源开关包括：栅极，所述栅极形成于设置在所述基板的所述第二表面下方的层间绝缘层中；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述第二表面的阱中。6.根据权利要求5所述的图像传感器装置，其中，所述电源开关还包括：接触件，所述源极、所述漏极和所述线层通过所述接触件彼此联接。7.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，所述电源开关包括NMOS晶体管。8.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中，通过所述焊盘接收的电源电压通过所述第一TSV、所述电源开关和所述第二TSV传输到设置在所述线层下方的下基板。9.根据权利要求1所述的图像传感器装置，该图像传感器装置还包括：导电层，所述导电层沿着所述基板的所述第一表面、所述第一TSV和所述第二TSV的侧表面设置。10.根据权利要求9所述的图像传感器装置，其中，所述导电层形成在使所述基板的一些部分暴露的沟槽中。11.根据权利要求10所述的图像传感器装置，其中，沿着在所述沟槽中形成的所述导电层的顶表面和侧表面形成所述焊盘。12.根据权利要求9所述的图像传感器装置，其中，所述导电层形成为在第一方向上比所述焊盘的长度长。13.根据权利要求9所述的图像传感器装置，其中，所述第一TSV通过所述导电层电联接至所述焊盘。14.根据权利要求1所述的图像传感器装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣国，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：