基于超材料表面的全介质太赫兹传感器制造技术

本发明专利技术公开了基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，属于传感器制造技术领域，该传感器包括敏感元件以及与其相连接的热敏电路，所述敏感元件由掺杂导电材料的圆柱半导体构成，用以改变圆柱半导体的电导率，进而可以吸收太赫兹波段的电磁波；本发明专利技术基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，传感器的敏感元件所用介质为掺杂的半导体，半导体低产生的热量也很低，因而对周围器件产生的影响很低，并且其结构简单，制作方便，具有较高的灵敏度。具有较高的灵敏度。具有较高的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
基于超材料表面的全介质太赫兹传感器


[0001]本专利技术属于传感器制造
，具体涉及基于超材料表面的全介质太赫兹传感器。

技术介绍

[0002]电磁超材料属于一种人工合成的特殊材料，是自然界不存在的。因其在一定条件下可以对某些波段的电磁波吸收率极高，从而有着广泛的应用。
[0003]近年来，随着互联网信息化时代的快速发展，更多的电子产品问世，电磁波逐渐出现在了人们的视野中。将电磁波与传感器相结合，人们发现了其价值，传感器在诸多产品中变成了不可分割的必要器件。日常生活中的许多家电器件，比如电磁炉、冰箱、微波炉都有传感器的身影。医疗领域、军事领域、电商物流领域更是需要更加精密的传感器。
[0004]传统的传感器由金属和介质构成，其造价成本高，由于其工作波段在几十到几百兆赫兹，需要很大的功率，产生的热量极高，对周围相邻的器件可能会有很大的影响，影响传感器的效率，进而导致整个产品的使用寿命会变短。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，产生的热量也很低，对周围器件产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，其特征在于，该传感器包括敏感元件以及与其相连接的热敏电路，所述敏感元件由掺杂导电材料的圆柱半导体构成，用以改变圆柱半导体的电导率，进而可以吸收太赫兹波段的电磁波。2.根据权利要求1所述的基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，其特征在于，该传感器的尺寸为微米。3.根据权利要求1所述的基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，其特征在于，所述掺杂的导电材料具体为硼。4.根据权利要求1所述的基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，其特征在于，所述圆柱半导体具体为氮化硅圆柱体。5.根据权利要求1或4所述的基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方明，康美军，冯健，徐珂，肖志成，程荣生，刘星晨，黄志祥，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：