【技术实现步骤摘要】
存储阵列电路、存储阵列版图以及验证方法
[0001]本申请实施例涉及半导体
,特别涉及一种存储阵列电路、存储阵列版图以及验证方法。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管,晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连,字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭,进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息,或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0003]存储器中具有多条字线以及多条位线,字线和位线的版图(layout)布局是否符合要求,决定着存储器性能的好坏。然而,目前验证字线和位线的版图布局是否符合要求的方法,不能有效对字线和位线执行版图对原理图(layout versus schematic,LVS)一致性验证,以验证字线和位线版图布局符合要求。
技术实现思路
[0004]本申请实施例解决的技术问题为提供一种存 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储阵列电路,其特征在于,包括:M条字线;M个字线断线节点,每一所述字线断线节点用于将对应的一所述字线分隔为第一字线引脚和第二字线引脚;N条位线;N个位线断线节点,每一所述位线断线节点用于将对应的一所述位线分隔为第一位线引脚和第二位线引脚;其中,所述M和所述N均为正偶数。2.一种存储阵列版图,其特征在于,包括:M条间隔排布的字线层;N条间隔排布的位线层;M条字线断线识别层,每一所述字线断线识别层用于将对应的一所述字线层分隔为沿所述字线层延伸方向上相互独立的两条子字线层;N条位线断线识别层,每一个位线断线识别层用于将对应的一所述位线层分隔为沿所述位线层延伸方向上相互独立的两条子位线层;其中,所述M和所述N均为正偶数。3.如权利要求2所述的存储阵列版图,其特征在于,所述M条字线断线识别层的排列方向垂直于所述字线层的延伸方向。4.如权利要求2或3所述的存储阵列版图,其特征在于,所述字线断线识别层的形状为矩形,且在垂直于所述字线层的延伸方向上,所述字线断线识别层的宽度大于所述字线层的宽度。5.如权利要求2所述的存储阵列版图,其特征在于,所述N条位线断线识别层的排列方向垂直于所述字线层的延伸方向。6.如权利要求2或5所述的存储阵列版图,其特征在于,所述位线断线识别层的形状为矩形,且在垂直于所述位线层的延伸方向上,所述位线断线识别层的宽度大于所述位线层的宽度。7.如权利要求2所述的存储阵列版图,其特征在于,还包括:有源层阵列,所述有源层阵列包括多个间隔分布的有源层;所述字线断线识别层位于所述有源层阵列的外围,所述位线断线识别层位于所述有源层阵列的外围。8.如权利要求7所述的存储阵列版图,其特征在于,所述M条字线断线识别层位于所述有源层阵列的同一侧;所述N条位线断线识别层位于所述有源层阵列的同一侧。9.一种版图原理图一致性的验证方法,其特征在于,包括:提供如权利要求1所述的存储阵列电路;建立与所述存储阵列电路对应的如权利要求2
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【专利技术属性】
技术研发人员:汪配焕,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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