【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光记录介质，其型式是通过如光或热的能量束的辐照在设于基片上的记录层上形成对应于信息的凹坑。光记录介质有两种类型，一种是通过能量束的辐照在记录层一定地方形成物理上的变形部分如孔穴或凹面;另一种是通过能量束的辐照在记录层一定地方形成光学性质如折射率和反射系数被改变了的部分。主要由低熔点金属如碲(Te)组成的记录层在此之前已在日本公开特许公报(公开号71195/1983和9234/1983)中作为两种光学记录介质的记录层向世人公开。Te薄膜为典型的低熔点金属薄膜，在其上面可形成所需的物理上的变形部分或通过辐射很低的能量其光学性质被改变了的部分(下文中通常称作“凹坑”)，因此作为一种高敏感度材料的非常有用的。此处所用的敏感度，其意义是，它被定义为每单位表面积形成凹坑所需的能量(毫焦耳/厘米2)。虽然主要由Te组成的记录层是已知的，但是包含传统基片如聚碳酸酯树脂基片的光学记录介质和层压于其上的这些记录层具有这样的一个问题，即记录的敏感度往往是不足的。因此要求提供一种记录敏感度得到改进的光记录介质。另外，包含传统基片如聚碳酸酯树脂基片的光记录介质和迭层于其...
【技术保护点】
一种光记录介质，包括基片和在其上形成的记录层，其中记录层经能量束辐照以便在它上面形成对应于给定信息件的凹坑，以及从而记录该信息件，所述的记录层为一主要由Ｔｅ所组成和附加地含有Ｃ和Ｈ的薄膜，所述的基片包括由乙烯单元和得自下述通式［Ｉ］的环烯烃单元所构成的环烯烃无规共聚物，＊＊＊…［１］这里ｎ为０或正整数，Ｒ↑［１］－Ｒ↑［１２］为相同的或相异的，并每个表示氢原子，卤原子或烃基团，倘若当Ｒ↑［９］－Ｒ↑［１２］合在一起时，可形成单环或多环的烃环，它们可任意地具有一个双键或 多个双键，或者Ｒ↑［９］－Ｒ↑［１０］、或Ｒ↑［１１］和Ｒ↑［１２］，当合在一起时，可形成亚烷基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1988-11-1 276740/88;JP 1988-11-28 300358/881.一种光记录介质，包括基片和在其上形成的记录层，其中记录层经能量束辐照以便在它上面形成对应于给定信息件的凹坑，以及从而记录该信息件，所述的记录层为一主要由Te所组成和附加地含有C和H的薄膜，所述的基片包括由乙烯单元和得自下述通式[I]的环烯烃单元所构成的环烯烃无规共聚物，这里n为0或正整数，R1-R12为相同的或相异的，并每个表示氢原子，卤原子或烃基团，倘若当R9-R12合在一起时，可形成单环或多环的烃环，它们可任意地具有一个双键或多个双键，或者R9和R10、或R11和R12，当合在一起时，可形成亚烷基。2.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于基片包括具有软化温度(TMA)不低于70℃的环烯烃无规共聚物。3.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于记录层中的C(碳)含量为小于40%(原子)，以记录层中存在的全部原子为基准。4.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于记录层中的H(氢)含量为1-40%(原子)，以记录层中存在的全部原子为基准。5.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于记录层的薄膜厚度为100埃()-1微米(μm)。6.一种光记录介质，包括基片和在其上形成的记录层，其中记录层经能...
【专利技术属性】
技术研发人员：端久治，黑岩光之，美浓田武，滕堂昭，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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