光记录介质制造技术

技术编号:3074082 阅读:159 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术中所揭示的光记录体具有良好的记录感光度以及良好的基片记录层的粘合性,所说的基片由乙烯和环烯烃的无规共聚物组成,并且具有一种特殊的结构。(*该技术在2009年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光记录介质,在这类光记录介质中,相应于信息的凹痕在记录层上形成,而记录层是在基片上由诸如光或热的能量射束照射构成的。目前有两类光记录介质一类是要形成物理变形部分,例如通过能量射束照射在记录层某一部位点上形成的孔或凹状点,另一类是要形成在光性能上例如由能量射束照射在记录层某一部位上的折射率和反射率业已改变的部分。记录层主要由低熔点金属组成,例如至今业已公知作为两类光记当介质的记录层的碲(Te)(日本特开昭第71195/1983号和第9234/1983号)。代表低熔点金属膜的Te薄膜要能在其上形成所要求的物理变形部分或者通过照射很低的能量在光性能上业已改变的部分〔下文通称“凹痕”(pits)],故它作高感光度材料是极其有用的。本文中所用的感光度是由单位表面积形成凹痕所需的能量(mJ/cm2)来定义。虽然众所周知,记录层主要由Te构成,但是包含诸如聚碳酸酯树脂基片的一般基片的光记录介质和在其上叠压成层的这些记录层存在着一个记录感光度总是不足的问题。因此,需要提供一些记录感光度得以提高的光记录介质。另外,包含诸如聚碳酸酯树脂基片的一般基片的光记录介质和在其上叠压成层的主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光记录介质,包括基片和在其上形成的记录层,其特征在于所说的记录层用能量射束照射,以在其上形成相应于给定的信息片的凹痕,从而记录信息片,所说的记录层为一种主要由Te构成且另外含有Cr、C和H的薄膜,所说的基片包括由乙烯单元组成的环烯烃无规共聚物***…[1]式中:n为0或正整数,R↑[1]-R↑[12]可以是相同的,也可以是不同的,各自代表氢原子、卤原子或者烃基,如果R↑[9]-R↑[12]结合在一起可形成可以任意地具有双键或多个双键的一种单环或多环的烃环,或者 R↑[9]和R↑[10]或R↑[11]和R↑[12]结合在一起可形成一亚烷基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1988-11-1 276739/88;JP 1988-11-28 300357/881.一种光记录介质,包括基片和在其上形成的记录层,其特征在于所说的记录层用能量射束照射,以在其上形成相应于给定的信息片的凹痕,从而记录信息片,所说的记录层为一种主要由Te构成且另外含有Cr、C和H的薄膜,所说的基片包括由乙烯单元组成的环烯烃无规共聚物式中n为0或正整数,R1-R12可以是相同的,也可以是不同的,各自代表氢原子、卤原子或者烃基,如果R9-R12结合在一起可形成可以任意地具有双键或多个双键的一种单环或多环的烃环,或者R9和R10或R11和R12结合在一起可形成一亚烷基。2.根据权利要求1所述的光记录介质,其特征在于所说的基片包含软化温度(TMA)不小于70℃的环烯烃无规共聚物。3.根据权利要求1所述的光记录介质,其特征在于记录层中Cr的含量为0.1-40%(原子)(按记录层中存在总原子计)。4.根据权利要求1所述的光记录介质,其特征在于记录层中C的含量为小于40%(原子)(按记录层中存在的总原子计)。5.根据权利要求1所述的光记录介质,其特征在于记录层中H的含量为1-40%(原子)(按记录层中存在的总原子计)。6.根据权利要求1所述的光记录介质,其特征在于记录层的薄膜厚度为100-1μm。7.一种光记录介质,包括基片和在其上形成的记录层,其特征在于所说...

【专利技术属性】
技术研发人员:端久治黑岩光之美浓田武藤堂昭
申请(专利权)人:三井化学株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术