磁阻效应元件及存储元件制造技术

用小磁场显示大磁阻变化的磁阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板１上设置半导体膜２，在半导体膜２上设置半导体膜３，在半导体膜３上设置非磁性金属膜４，非磁性金属膜４上设有良好方型磁化曲线的磁性膜５，在基板１下设置电极６，在磁性膜７上设置电极７。将激光照射到半导体膜２上，在半导体膜３中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜５的界面处电子散射依赖于磁性膜５的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁头或磁传感器等的磁阻效应元件及利用该元件的存储元件。近年来已发现通过介入Cr、Ru等的金属非磁性薄膜以强反磁性的方式耦合起来的[Fe/Cr]、[Co/Ru]人工晶格膜在强磁场(1～10kOe)中显示出很强的磁阻效应(《物理评论快报》，Vol.61，第2472页(1988年)；《物理评论快报》，Vol.64，第2304页(1990)(Physical Review LetterVol.61，P2472，1988；同Vol.64，P2304，1990))。这些膜显示出很大的磁阻变化，但要产生这种磁阻效应所需要的磁场大到几个kOe，故在实用上尚存在问题。此外，即使在用由Cu构成的金属非磁性薄膜进行分离的、使用未进行磁耦合的矫顽力不同的磁性薄膜Ni-Fe和Co的[Ni-Fe/Cu/Co]人工晶格膜中也已发现很强的磁阻效应，用室温外加磁场0.5kOe可得到磁阻变化率约8％的膜(《日本物理学会会刊》，Vol.59，第3061页(1990年)(Journal ofPhysical Society of Japan Vol.59，P3061，1990))。但是即使在这种情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻效应元件，其特征在于具备：可偏转的光源；通过使用了上述光源的光激发可实现电子自旋极化的半导体部分；磁性膜部分以及在上述半导体部分和上述磁性膜部分上分别设置的电极部分。

【技术特征摘要】
JP 1995-8-21 212165/95;JP 1995-11-13 294409/951.一种磁阻效应元件，其特征在于具备可偏转的光源；通过使用了上述光源的光激发可实现电子自旋极化的半导体部分；磁性膜部分以及在上述半导体部分和上述磁性膜部分上分别设置的电极部分。2.如权利要求1中所述的磁阻效应元件，其特征在于半导体部分由晶格常数不同的二种半导体构成。3.如权利要求1中所述的磁阻效应元件，其特征在于在磁性膜部分和半导体部分之间设置非磁性金属膜。4.如权利要求3中所述的磁阻效应元件或存储元件，其特征在于非磁性金属膜是从Cu、Ag和Au中选出的至少一种。5.如权利要求3中所述的磁阻效应元件，其特征在于非磁性金属膜由二种非磁性金属膜构成。6.如权利要求5中所述的磁阻效应元件，其特征在于二种非磁性金属膜中与半导体部分相接一侧的膜用Cs形成，与磁性膜部分相接一侧的膜用由Cu、Ag和Au中选出的至少一种来形成。7.如权利要求3中所述的磁阻效应元件，其特征在于非磁性金属膜的膜厚在100nm以下。8.如权利要求1中所述的磁阻效应元件，其特征在于在磁性膜部分和半导体部分之间设置非磁性绝缘膜。9.如权利要求8中所述的磁阻效应元件，其特征在于非磁性绝缘膜具有与半导体部分相同的晶体结构。10.如权利要求1中所述的磁阻效应元件，其特征在于磁性膜部分是以NiXCoYFeZ为主要成分、原子组成比为X＝0.6～0.9、Y＝0～0.4、Z＝0～0.3范围内的强磁性膜。11.如权利要求1中所述的磁阻效应元件，其特征在于磁性膜部分是以Nix，Cov′Fez′为主要成分、原子组成比为X′＝0～0.4、Y′＝0.2～0.95、Z′＝0～0.5范围内的强磁性膜。12.一种存储元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：间博，上野山雄，川分康博，入江庸介，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]